氮化镓外延片

氮化镓外延片生产商 硅基氮化镓外延片厂商 苏州恒迈瑞材料科技有限公司生产供应硅基氮化镓外延片、蓝宝石基氮化镓外延片和碳化硅基氮化镓外延片，产品有着极高的电子迁移率和二维电子气浓度、极小的缓冲层漏电。优秀的应力控制技术使得材料的翘曲控制处于业界的领先地位，出色的外延生长技术和良好的品质管控能力确保了外延材料批量化生产的均匀性和一致性。 氮化镓外延片生产商 硅基氮化镓外延片厂商 苏州恒迈瑞材料科技有限公司生产的硅基氮化镓外延片可用于650V电子电力HEMT及RF射频高电子迁移率晶体管.目前我司硅基氮化镓外延片结构可分为D-MODE耗尽型HMET结构 ，E-MODE增强型HEMT结构，以及RF HEMT结构，部分结构参数可根据客户设计需求定制。 GaN氮化镓材料大的禁带宽度，使得其制备的功率器件可以在没有复杂设计的散热装置的辅助下正常工作，这样可以大幅降低电力电子设备的体积和成本。又因为击穿电场强度与能带的平方成正相关，GaN氮化镓材料的击穿电压理论上可达到大于3 MV/cm的水平，远大于Si和GaAs。此外，GaN材料同时还拥有非常卓越的电子传输特性，其中包括更高的迁移率，更大的饱和漂移速度。这些使其非常适合用于制作功率电子器件。