RF碳化硅基GaN外延片

RF碳化硅基GaN外延片生产商4英寸AlGaN 苏州恒迈瑞公司专注于氮化镓外延片生长，可支持定制4-6英寸碳化硅基氮化镓外延片，涵盖power结构GaN on SiC及RF结构。采用产品P级高纯半绝缘碳化硅衬底晶片，MOCVD生长氮化镓外延层，cap 层为SiN氮化硅，参数范围0-5nm。 氮化镓是一种极稳定的无机化合物，也是坚硬的高熔点材料，熔点约为1700℃，主要是由人工合成的。GaN具有高的电离度，禁带宽度达到3.4eV，其相比第二代半导体化合物拥有更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的热导率和电子饱和速率及更优的抗辐照能力,可以用在高功率、高速的光电元件中,是生产微电子器件、光电子器件的新型材料。