6英寸碳化硅晶棒

6英寸碳化硅晶棒厂商供应SiC晶锭 PVT法生长的碳化硅晶锭一般是短圆柱状，柱状高度(或长度)在20 mm以内，需要通过机械加工整形、切片、研磨、抛光等化学机械抛光和清洗等工艺，才能成为器件制造前的衬底材料。苏州恒迈瑞公司生长供应4英寸和6英寸碳化硅晶棒，已经过滚圆，磨平，定向工序，可直接采购进行切割设备的测试验证。碳化硅材料拥有宽禁带、高击穿电场、高热导率、高电子迁移率以及抗辐射等特性，SiC 基的 SBD 以及 MOSFET 更适合在高频、高温、高压、高功率以及耐辐射的环境中工作。在功率等级相同的条件下，采用 SiC 器件可满足功率密度更高、设计更紧凑的需求。