4英寸6英寸碳化硅SiC晶锭厂家

4英寸6英寸碳化硅SiC晶锭厂家苏州恒迈瑞公司，致力于生产供应碳化硅晶锭及碳化硅衬底产品，目前可供应主流6英寸碳化硅晶锭，导电N型与半绝缘型。随着碳化硅晶锭尺寸往8英寸发展，导电N型4英寸SIC晶锭及碳化硅衬底会逐步减少供应，如有设备仅支持加工4英寸碳化硅晶锭厂商，可与我司联系采购4英寸碳化硅晶锭及衬底备料。衬底材料可以分为导电型衬底（电阻率区15~30mΩ·cm）和半绝缘型衬底（电阻率高于105Ω·cm）。这两类衬底经外延生长后分别用于制造功率器件、射频器件等分立器件。其中，半绝缘型碳化硅衬底主要应用于制造氮化镓射频器件、光电器件等。通过在半绝缘型碳化硅衬底上生长氮化镓外延层，制得碳化硅基氮化镓外延片，可进一步制成HEMT等氮化镓射频器件。导电型SIC衬底主要应用于制造功率器件。与传统硅功率器件制作工艺不同，碳化硅功率器件不能直接制作在碳化硅衬底上，需在导电型衬底上生长碳化硅外延层得到碳化硅外延片，并在外延层上制造基二极管、MOSFET、IGBT等功率器件。 以高纯碳粉、高纯为原料合成碳化，在特殊温场下生长不同尺寸的SIC晶锭，再经过多道加工工序产出碳化硅衬底。核心工艺流程包括： 原料合成：将高纯的+碳粉按配方混合，在2000°C以上的高温条件下于反应腔室内进行反应，合成特定晶型和颗粒度的碳化硅颗粒。再通过破碎、筛分、清洗等工序，得到满足要求的高纯碳化原料。 晶体生长：为碳化硅衬底制造最核心工艺环节，决定了碳化硅衬底的电学性质。目前晶体生长的主要方法有物相传输法（PVT）、高温化学气相沉积法（HT-CVD）和液相外延（LPE）三种方法。其中PVT法是现阶段商业化生长SiC衬底的主流方法，技术成熟度、工程化应用最广。