4英寸碳化硅外延片

4英寸碳化硅外延片生产工厂 P型碳化硅外延片厂商 苏州恒迈瑞材料科技供应的碳化硅外延片以350um厚度4H-N型为衬底层，衬底层晶向为4±0.5°off toward <11-20>。碳化硅外延片产品尺寸有4英寸和6英寸导电类型分为N型及P型，N型碳化硅外延片掺杂氮，P型碳化硅外延片掺杂铝。 4英寸碳化硅外延片生产工厂 P型碳化硅外延片厂商 由于碳化硅器件必须制作在外延材料上，所以基本上所有碳化硅单晶材料都将作为衬底材料用来生长外延材料。国际上碳化硅外延材料技术发展迅速，外延厚度达到250 μm以上。其中，20 μm及以下的外延技术成熟度较高，表面缺陷密度已经降低到1个/cm2以下，位错密度已从过去的105个/cm2，降低到目前的103个/cm2以下，基平面位错的转化率接近100 %，已经基本达到碳化硅器件规模化生产对外延材料的要求。近年来国际上30 μm~50 μm外延材料技术也迅速成熟起来。 Si 器件作为当今世界的主流， 日益表现出局限性， 其带隙宽度较小， 高温下 不能正常工作， 在高温、 高频、 大功率及强辐射条件下性能捉襟见肘。 Si 器件的 高耐温只有 150℃， 而 SiC 碳化硅器件的耐温可达 600℃， 而且热导率高， 有利于器件良好地散热， 使器件发挥更好的性能， 由于散热良好， 器件和集成电路的体积可以做的更小。 SiC 器件和 Si 器件相比， 耐压范围也更高，在耐腐蚀等环境下， 有着巨大的应用价值，电力电子领域是 SiC 材料应用的典型领域。