碳化硅外延片生产商

碳化硅外延片生产商 4英寸碳化硅同质外延片厂商 由于碳化硅器件必须制作在碳化硅外延材料上，所以基本上所有碳化硅单晶材料都将作为衬底材料用来生长外延材料。国际上碳化硅外延材料技术发展迅速，外延厚度达到250 μm以上。其中，20 μm及以下的外延技术成熟度较高，表面缺陷密度已经降低到1个/cm2以下，位错密度已从过去的105个/cm2，降低到目前的103个/cm2以下，基平面位错的转化率接近100 %，已经基本达到碳化硅器件规模化生产对外延材料的要求。近年来国际上30 μm~50 μm外延材料技术也迅速成熟起来。 SiC碳化硅作为一种宽带隙的半导体材料，同时还具有较宽的工作频带，（0~400GHz），加之其优异的高温特性，高击穿电场，高热导率和电子饱和速率等特性，在微波通讯领域也占有一席之地。实现了通讯器件的高效能，高机动，高波段和小型化的，特别是在X波段以上的T/R组件，5G通讯中的应用备受关注。