氧化镁溅射靶材

氧化镁靶材在电子器件制造方面，氧化镁靶材用于制备高k介质层。其宽带隙（7.8eV）特性使其成为半导体器件中的优质绝缘材料，在MRAM存储器中作为隧道势垒层，能显著提升器件的隧穿磁阻（TMR）效应。此外，MgO单晶外延层在磁性隧道结（MTJ）中的应用，推动了自旋电子学器件的商业化进程。 氧化镁靶材在磁记录领域，氧化镁薄膜作为CoFeB磁性层的晶化模板，能够诱导(001)择优取向生长，显著提升垂直磁各向异性，这对高密度硬盘存储技术发展至关重要。研究显示，超薄MgO界面层还能有效降低磁性多层结构的矫顽力，提升磁敏元件的灵敏度。 氧化镁在新能源领域也展现潜力，作为阻隔层应用于锂硫电池，可有效抑制多硫化物的穿梭效应。