镍靶材厂家

镍铂合金溅射靶材在半导体制造中的应用及发展趋势。 金属硅化物具有优异的高温性以及良好的导电、导热性，已广泛应用于半导体制造中作为优良的接触材料。随着金属硅化物的不断发展，主导的硅化物已从钛、钴硅化物逐步发展到低电阻、低耗硅量以及低形成温度的镍硅化物。 镍铂硅化物薄膜在半导体制造中的应用 广泛应用于开关电源、变频器、驱动器等电路中。随着基二极管工艺不断发展，金属硅化物-硅接触已取代了传统的金属-硅接触，避免了表面缺陷与沾污，降低了表面态的影响，提高了器件的正向特性、反向耐压、反向能量冲击、耐高温、、抗烧毁能力。 在半导体集成电路中的应用 镍铂硅化物还广泛用于超大规模集成电路(VLSI)微电子器件中源、漏、栅极与金属电极间的接触。 为了减小镍铂硅化物整体的阻抗，IBM 的采用两步骤制造 NiPtSi薄膜：步溅射沉积 Pt 含量较高的镍铂合金薄膜，第二步溅射沉积 Pt 含量较低的镍铂合金薄膜甚至不含 Pt 的纯镍薄膜。这样形成的镍铂硅化物薄膜上表面的 Pt 含量低，有助于减小镍铂硅化物整体的阻抗。 镍铂硅化物作为优良的接触材料广泛应用于半导体制造中，镍铂合金溅射靶材成为保证半导体器件性能和发展半导体技术的关键材料，其不断增长的需求量为中国贵金属靶材制造业的发展提供了机遇和挑战。