广东镍铬靶材

镍铬靶Ni-Gr镍铝靶Ni-A1、镍钒靶Ni-V 镍铁靶Ni-Fe、铝硅靶Al-Si、钛硅靶Ti-Si、铬硅靶Cr-Si锌铝靶Zn-Al、钛锌靶材Ti-Zn、铝硅铜靶Al-Si-Cu等……半导体芯片行业是金属溅射靶材的主要应用领域之一，是对靶材的成分、筹备和性能要求高的领域。 影响磁控靶溅射电压的几个因素 影响磁控靶溅射电压的主要因素有:靶面磁场、靶材材质、气体压 强、阴-阳极间距等。学者详细分析这些因素距对靶溅射电压的影响。 一、靶面磁场对靶溅射电压的影响 。磁控靶的阴极工作电压，随着靶面磁场的增加而降低，也随着靶面的 溅射刻蚀槽加深而降低。溅射电流也随着靶面的溅射刻蚀槽加深而加大。这是 因为靶的溅射刻蚀槽面会越来越接近靶材后面的磁钢的强磁场。因此，靶 材的厚度是有限制的。较厚的非磁性靶材能够在较强的磁场中使用。当磁场强 度增加到01T以上时，磁场强度对溅射电压的影响就不明显了。铁磁性靶材会对磁控靶的溅射造成影响，由于大部分磁力线从铁磁性 材料内部通过，使靶材表面磁场减少，需要很高电压才能让靶面点火起辉。除 非磁场非常的强。否则磁性材靶材必须比非磁性材料要演，才能起辉和正常运 行(永磁结构的Ni靶的典型值小于016cm，磁控靶非特殊设计值通常不宜 超过3mmFeco靶的值不超过2mm;电磁结构的靶可以溅射厚一些的靶 材，甚至可达6mm厚)才能正常运行。