厂商 ：伯东企业(上海)有限公司
上海市 上海市- 主营产品：
- 离子源
- 真空阀门
- 真空配件
因产品配置不同，价格货期需要电议，图片仅供参考，一切以实际成交合同为准。
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子 源, 霍尔离子 源和射频离子 源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项砖利. KRi 离子 源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域, 上海伯东是美国考夫曼离子 源中国总代理.
离子 源应用于离子刻蚀 IBE
上海伯东代理美国考夫曼 KRI 离子 源, 其产品霍尔离子 源 EH400 HC 成功应用于离子蚀刻 IBE.
霍尔离子 源离子抨击能量强, 蚀刻效率快, 可因应多种基材特性, 霍尔源单次使用长久, 耗材成本极低, 操作简易, 安装简易, 因此美国考夫曼霍尔离子源广泛应用于蚀刻制程及基板前处理制程.
霍尔离子 源客户案例一: 某大学天文学系小尺寸刻蚀设备
系统功能: 对于 Fe, Se, Te ,PCCO 及多项材料刻蚀工艺.
样品尺寸: 2英寸硅芯片.
刻蚀设备: 小型刻蚀设备. 选用上海伯东美国考夫曼品牌霍尔离子 源 EH400 HC
霍尔离子源 EH400HC 安装于刻蚀腔体内
离子源 EH400HC 自动控制单元
霍尔离子源 EH400HC 通氩气
对于 FeSeTe 刻蚀应用, 霍尔离子源 EH400HC 条件: 110V/1.5安培, 刻蚀速率 >20 A/Sec
对于 FeSeTe 刻蚀应用, 霍尔离子源 EH400HC 条件: 110V/1.5安培, 刻蚀速率 >17 ?/Sec
鉴于信息保密. 更详细的离子源应用欢迎拨打客服热线：021-5046-3511
霍尔离 子源 EH400HC 特性:
高离子浓度, 低离子能量
离子束涵盖面积广
镀膜均匀性佳
提高镀膜品质
模块化设计, 保养快速方便
增加光学膜后折射率 (Optical index)
全自动控制设计, 操作简易
低耗材成本, 安装简易
若您需要进一步的了解产品详细信息或讨论, 请联络上海伯东邓女士, 分机134
