射频离子源 RFICP 220

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上海伯东代理美国进口 KRI 射频离子源 RFICP 220 高能量栅极离子源, 适用于离子溅镀, 离子沉积和离子蚀刻. 在离子束溅射工艺中, 射频离子源 RFICP 220 配有离子光学元件, 可以很好的控制离子束去溅射靶材, 实现好的薄膜特性. 同样的在离子束辅助沉积和离子束刻蚀工艺中, 好的离子光学元件能够完成发散和汇集离子束的任务. 标准配置下射频离子源 RFICP 220 离子能量范围 100 至 1200ev, 离子电流可以超过 800 mA. KRI 射频离子源 RFICP 220 技术参数: 型号 RFICP 220 Discharge 阳极 RF 射频 离子束流 >800 mA 离子动能 100-1200 V 栅极直径 20 cm Φ 离子束 聚焦, 平行, 散射 流量 10-40 sccm 通气 Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 典型压力 < 0.5m Torr 长度 30 cm 直径 41 cm 中和器 LFN 2000 KRI 射频离子源 RFICP 220 应用领域： 预清洗 表面改性 辅助镀膜(光学镀膜)IBAD, 溅镀和蒸发镀膜 PC 离子溅射沉积和多层结构 IBSD 离子蚀刻 IBE 1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项砖 利. KRi 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域, 上海伯东是美国考夫曼离子源中国总代理. 若您需要进一步的了解考夫曼离子源, 请参考以下联络方式 上海伯东: 邓小姐 T: +86-21-5046-3511 ext 109 F: +86-21-5046-1490 M: +86 1391-883-7267 台湾伯东: 王小姐 T: +886-3-567-9508 ext 161 F: +886-3-567-0049 M: +886-939-653-958 现部分品牌诚招合作代理商, 有意向者欢迎联络上海伯东 邓小姐 1391-883-7267 上海伯东版权所有, 翻拷必究！