射频离子源RFICP 100

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 上海伯东代理美国进口 KRI 考夫曼型离子源 RFICP 100 紧凑设计, 适用于离子溅镀和离子蚀刻. 小尺寸设计但是可以输出 >400 mA 离子流. 考夫曼型离子源 RFICP 100 源直径19cm 安装在10”CF 法兰, 在离子溅镀时, 离子源配有离子光学元件, 可以很好的控制离子束去溅射靶材, 实现好的薄膜特性. 在离子刻蚀工艺中, 离子源与离子光学配合, 蚀刻更均匀. 标准配置下 RFICP 100 离子能量范围 100 至 1200ev, 离子电流可以达到 400 mA. KRI 射频离子源 RFICP 100 技术参数： 型号 RFICP 100 Discharge 阳极 RF 射频 离子束流 >350 mA, 可以达到 400 mA 离子动能 100-1200 V 栅极直径 10 cm Φ 离子束 聚焦, 平行, 散射 流量 5-30 sccm 通气 Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 典型压力 < 0.5m Torr 长度 23.5 cm 直径 19.1 cm 中和器 LFN 2000 KRI 射频离子源 RFICP 100 应用领域： 预清洗 表面改性 辅助镀膜(光学镀膜) IBAD, 溅镀和蒸发镀膜 PC 离子溅射沉积和多层结构 IBSD 离子蚀刻 IBE 1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项砖 利. KRi 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域, 上海伯东是美国考夫曼离子源中国总代理. 若您需要进一步的了解考夫曼离子源, 请参考以下联络方式 上海伯东: 邓小姐 T: +86-21-5046-3511 ext 109 F: +86-21-5046-1490 M: +86 1391-883-7267 台湾伯东: 王小姐 T: +886-3-567-9508 ext 161 F: +886-3-567-0049 M: +886-939-653-958 现部分品牌诚招合作代理商, 有意向者欢迎联络上海伯东 邓小姐 1391-883-7267 上海伯东版权所有, 翻拷必究！