射频离子源 RFICP 40

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 上海伯东代理美国进口 KRI 射频离子源 RFICP 40 : 目前 KRI 射频离子源 RFICP 系列尺寸小, 低成本. 适用于集成在小型的真空腔体内. 离子源 RFICP 40 设计采用新的栅极技术用于研发和开发应用. 离子源 RFICP 40 无需电离灯丝设计, 适用于通气气体是活性气体时的工业应用. 标准配置下 RFICP 40 离子能量范围 100 至 1200ev, 离子电流可以超过 120 mA. 射频离子源 RFICP 40 特性: 1. 离子源放电腔 Discharge Chamber, 无需电离灯丝, 通过射频技术提供高密度离子, 工艺时间更长. 2. 离子源结构模块化设计, 使用更简单; 基座可调节, 有效优化蚀刻率和均匀性. 3. 提供聚焦, 发散, 平行的离子束 4. 离子源自动调节技术保障栅极的使用寿命和可重复的工艺运行 5. 栅极材质钼和石墨,坚固耐用 6. 离子源中和器 Neutralizer, 测量和控制电子发射,确保电荷中性 KRI 射频离子源 RFICP 40 技术参数: 型号 RFICP 40 Discharge 阳极 RF 射频 离子束流 >100 mA 离子动能 100-1200 V 栅极直径 4 cm Φ 离子束 聚焦, 平行, 散射 流量 3-10 sccm 通气 Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 典型压力 < 0.5m Torr 长度 12.7 cm 直径 13.5 cm 中和器 LFN 2000 KRI 射频离子源 RFICP 40 应用领域： 预清洗 表面改性 辅助镀膜 (光学镀膜 ) IBAD, 溅镀和蒸发镀膜 PC 离子溅射沉积和多层结构 IBSD 离子蚀刻 IBE 1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离 子源, 霍尔离子源和射频离子 源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项砖 利. KRi 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域, 上海伯东是美国考夫曼离子 源中国总代理. 若您需要进一步的了解考夫曼离 子源, 请参考以下联络方式 上海伯东: 邓小姐 T: +86-21-5046-3511 ext 109 F: +86-21-5046-1490 M: +86 1391-883-7267 台湾伯东: 王小姐 T: +886-3-567-9508 ext 161 F: +886-3-567-0049 M: +886-939-653-958 现部分品牌诚招合作代理商, 有意向者欢迎联络上海伯东 邓小姐 1391-883-7267 上海伯东版权所有, 翻拷必究！