微波等离子CVD单晶生长系统

适用范围：高纯度单晶生长及掺杂研究（for high purity single crystal diamond and doping research）、批量化生产单晶（for massive production of single crystal diamond） 
生长速度：可高达50μm/h，甚至更高； 
生长范围：可在直径50mm范围内生长、或者在直径100mm范围内生长。 

单晶研究及掺杂、规模生产型 
功率：2.45GHz，6KW； 
水冷样品台：直径50mm，样品台旋转可选 
真空系统：机械泵 涡轮分子泵TMP 
控制系统：半自动或全自动控制 
生长速率：高达 50μm/h，or even higher 
多种子沉积: 10-25 PCS @5×5, (10×10 or 20×20)

高水平单晶及掺杂工艺培训，现场演示单晶生长。

整体特点：专门为单晶生产及研究配置，易掺杂；可获得高纯度单晶金刚石(SCD)，杂质含量<1ppm，无色透明单晶; 可实现高浓度B-doping、N-doping，获得高迁移率金刚石半导体，部分研究机构使用我们的设备已经实现产品化。


大规模单晶生产型： 
功率：915MHz，30KW 
样品台：直径100mm，水冷，旋转 
真空系统：机械泵 分子泵，真空度10-7 Torr 
全自动控制模式，手动和半自动可选 
生长速率：高达50μm/h 
多种子同时生长: 40-100 PCS @5×5, (10×10 or 20×20) 
整体特点：专门为大规模单晶生产配置；可获得高纯度单晶金刚石(SCD)，可实掺杂，也可以使用该配置设备进行大面积UNCD/PCD生长（4-10）。