氧化铌靶材定制

氧化铌靶材（Nb?O?）与铌靶材（金属铌，Nb）在成分、性能、制备技术及应用领域上存在显著差异。以下从多个角度分析两者的区别： 氧化铌靶材制备技术： - 主要采用粉末冶金法、物相沉积（PVD）或化学气相沉积（CVD）。 - **粉末冶金法**：通过压制氧化铌粉末并高温烧结，成本低但均匀性略低。 - **PVD/CVD**：用于制备高纯度薄膜，适用于半导体和光电子领域，但成本较高。 铌靶材（金属铌）制备技术： - 制备方法包括熔炼提纯（如电子束熔炼）、轧制或溅射、冷喷涂和热喷涂，其中，冷喷涂制备金属铌靶材有致密度高，氧含量低等优点，而热喷涂制备的铌靶材则有等优势。 - 例如，大晶粒铌材需通过800℃以上热处理恢复声子峰效应，以提高超导性能。