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商品详细描述
飞行时间二次离子质谱仪(TOF-SIMS)
TOF-SIMS（Time of Flight Secondary Ion Mass Spectrometry）采用一次的脉冲离子源激发固体表面的原子和分子基团脱附或离化。所产生的二次离子被加速到在质谱仪中，并按照从样品到检测器的飞行时间而分离。细聚焦的离子束在样品表面扫描形成成分图。深度分布用离子束将材料表面一层层除去的同时分析该层的质谱图而构建。
主要用途：
? 定性、定量分析，痕量杂质分析
? 并行性分析原子和分子基团,有机物和无机物分析
? 检测和分辨所有的元素和同位素
? 识别高分子量有机分子
? 深度剖面分析
? 检测限达到十亿分之一 (ppb)
? 二维和三维表征
二次离子质谱(SIMS)
二次离子质谱分析技术(SIMS)是用来检测低浓度掺杂剂和杂质的分析技术。 它可以提供范围在数埃至数十微米内的元素深度分布。SIMS是通过一束初级离子来溅射样品表面。二次离子在溅射过程中形成并被质谱仪提取分析. 这些二次离子的浓度范围可以高达被分析物本体水平或低于ppm痕量级以下。
SIMS可帮助客户解决产品研发、质量控制、 失效分析、故障排除和工艺监测中的问题。
SIMS应用：
? 掺杂剂与杂质的深度剖析
? 薄膜的成份及杂质测定 （金属、电介质、锗化硅 、III-V族、II-V族）
? 超薄薄膜、浅植入的超高深度辨析率剖析
? 硅材料整体分析，包含B, C, O,以及N
? 工艺工具（离子植入）的高精度分析
SIMS应用优点：
? 优异的掺杂剂和杂质检测灵敏度。可以检测到ppm或更低的浓度
? 深度剖析具有良好的检测限制和深度辨析率
? 小面积分析（10 ?m 或更大）
? 检测包含H在内的元素及同位素
应用局限性：
? 破坏性分析
? 无化学键联信息
? 只能分析元素
? 样品必须是固态以及真空兼容
? 要分析的元素必需是已知的
TOF-SIMS（Time of Flight Secondary Ion Mass Spectrometry）采用一次的脉冲离子源激发固体表面的原子和分子基团脱附或离化。所产生的二次离子被加速到在质谱仪中，并按照从样品到检测器的飞行时间而分离。细聚焦的离子束在样品表面扫描形成成分图。深度分布用离子束将材料表面一层层除去的同时分析该层的质谱图而构建。
主要用途：
? 定性、定量分析，痕量杂质分析
? 并行性分析原子和分子基团,有机物和无机物分析
? 检测和分辨所有的元素和同位素
? 识别高分子量有机分子
? 深度剖面分析
? 检测限达到十亿分之一 (ppb)
? 二维和三维表征
二次离子质谱(SIMS)
二次离子质谱分析技术(SIMS)是用来检测低浓度掺杂剂和杂质的分析技术。 它可以提供范围在数埃至数十微米内的元素深度分布。SIMS是通过一束初级离子来溅射样品表面。二次离子在溅射过程中形成并被质谱仪提取分析. 这些二次离子的浓度范围可以高达被分析物本体水平或低于ppm痕量级以下。
SIMS可帮助客户解决产品研发、质量控制、 失效分析、故障排除和工艺监测中的问题。
SIMS应用：
? 掺杂剂与杂质的深度剖析
? 薄膜的成份及杂质测定 （金属、电介质、锗化硅 、III-V族、II-V族）
? 超薄薄膜、浅植入的超高深度辨析率剖析
? 硅材料整体分析，包含B, C, O,以及N
? 工艺工具（离子植入）的高精度分析
SIMS应用优点：
? 优异的掺杂剂和杂质检测灵敏度。可以检测到ppm或更低的浓度
? 深度剖析具有良好的检测限制和深度辨析率
? 小面积分析（10 ?m 或更大）
? 检测包含H在内的元素及同位素
应用局限性：
? 破坏性分析
? 无化学键联信息
? 只能分析元素
? 样品必须是固态以及真空兼容
? 要分析的元素必需是已知的
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