6N65常用放大电路

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1、场效应管的源极S、栅极G、漏极D分别对应于三极管的发射极e、基极b、集电极c，它们的作用相似，图一所示是N沟道MOS管和NPN型晶体三极管引脚，图二所示是P沟道MOS管和PNP型晶体三极管引脚对应图。

2、场效应管是电压控制电流器件，由VGS控制ID，普通的晶体三极管是电流控制电流器件，8N60常用放大电路，由IB控制IC。MOS管道放大系数是（跨导gm）当栅极电压改变一伏时能引起漏极电流变化多少安培。晶体三极管是电流放大系数（贝塔β）当基极电流改变一毫安时能引起集电极电流变化多少。

3、场效应管栅极和其它电极是绝缘的，不产生电流；而三极管工作时基极电流IB决定集电极电流IC。因此场效应管的输入电阻比三极管的输入电阻高的多。

4、场效应管只有多数载流子参与导电；三极管有多数载流子和少数载流子两种载流子参与导电，因少数载流子浓度受温度、辐射等因素影响较大，所以场效应管比三极管的温度稳定性好。

90N10/100N10-MOS开关管ASEMI品质MOSFET管

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90N10/100N10-MOS开关管ASEMI品质MOSFET管

损失不管是NMOS还是PMOS，导通后都有导通电阻存在，这样电流就会在这个电阻上消耗能量，这部分消耗的能量叫做导通损耗。选择导通电阻小的MOS管会减小导通损耗。往常的小功率MOS管导通电阻普通在几十毫欧左右，几毫欧的也有。MOS在导通和截止的时分，一定不是在瞬间完成的。MOS两端的电压有一个降落的过程，流过的电流有一个上升的过程，在这段时间内，MOS管的损失是电压和电流的乘积，叫做开关损失。通常开关损失比导通损失大得多，而且开关频率越快，4N65常用放大电路，损失也越大。导通瞬间电压和电流的乘积很大，构成的损失也就很大。缩短开关时间，可以减小每次导通时的损失；降低开关频率，可以减小单位时间内的开关次数。这两种办法都可以减小开关损失。mos管

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MOS管一bai般又叫场效应管，与二极管du和三极管不同，二极管只能通过正zhi向电流，反向截止，不能控dao制，三极管通俗讲就是小电流放大成受控的大电流，6N65常用放大电路，MOS管是小电压控制电流的。

ASEMI-7N65_mos管

产品：7N65

品牌：ASEMI

电流：7A

电压：650V

产品描述：MOS管又称场效应管，常用放大电路，即在集成电路中绝缘性场效应管。

7A，650V，R DS(ON) =1.4Ω@V GS =10V/3.5A

Low gate charge

Low C iss

Fast switching

avalanche tested

Improved dv/dt capability

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