场效应管

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商品详细描述
ASEMI-100N10/90N10_MOSFET管参数

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ASEMI-100N10/90N10_MOSFET管参数


MOS管主要参数如下:

1. 栅源击穿电压BVGS-在增加栅源电压过程中,使栅极电流IG由零开端剧增时的VGS,称为栅源击穿电压BVGS。

2.开启电压VT-开启电压(又称阈值电压):使得源极S和漏极D之间开端构成导电沟道所需的栅极电压;-规范的N沟道MOS管,场效应管,VT约为3~6V;-经过工艺上的改良,能够使MOS管的VT值降到2~3V。

3. 漏源击穿电压BVDS-在VGS=0(加强型)的条件下 ,在增加漏源电压过程中使ID开端剧增时的VDS称为漏源击穿电压BVDS-ID剧增的缘由有下列两个方面:

(1)漏极左近耗尽层的雪崩击穿

(2)漏源极间的穿通击穿-有些MOS管中,其沟道长度较短,10N60场效应管,不时增加VDS会使漏区的耗尽层不时扩展到源区,使沟道长度为零,即产生漏源间的穿通,穿通后,源区中的多数载流子,将直承受耗尽层电场的吸收,抵达漏区,8N80场效应管,产生大的ID。

4. 直流输入电阻RGS-即在栅源极之间加的电压与栅极电流之比-这一特性有时以流过栅极的栅流表示-MOS管的RGS能够很容易地超越1010Ω。

5. 低频跨导gm-在VDS为某一固定数值的条件下 ,漏极电流的微变量和惹起这个变化的栅源电压微变量之比称为跨导-gm反映了栅源电压对漏极电流的控制才干-是表征MOS管放大才干的一个重要参数-普通在非常之几至几mA/V的范围内。











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6N60_mos管ASEMI供应厂商

FEATURE

6A,600V,R DS(ON) =1.2Ω@V GS =10V/3A

Low gate charge

Low C iss

Fast switching

 avalanche tested

Improved dv/dt capability


mos管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管。或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。




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MOS管一般又叫场效应bai管,与二极管和三du极管不同,二极zhi管只能通过正向电流,反向截止,不dao能控制,三极管通俗讲就是小电流放大成受控的大电流,MOS管是小电压控制电流的,MOS管的输入电阻极大,兆欧级的,10N65场效应管,容易驱动,但是价格比三极管要高,一般适用于需要小电压控制大电流的情况,电磁炉里一般就是用的20A或者25A的场效应管。


10N60场效应管-ASEMI(在线咨询)-场效应管由鼎芯实业(深圳)有限公司提供。鼎芯实业(深圳)有限公司(www.asemi360.com)是广东 深圳 ,二极管的企业,多年来,公司贯彻执行科学管理、创新发展、诚实守信的方针,满足客户需求。在鼎芯实业领导携全体员工热情欢迎各界人士垂询洽谈,共创鼎芯实业更加美好的未来。同时本公司(www.asemi.cn)还是从事三相整流桥型号,三相整流桥经销商,三相整流桥模块的厂家,欢迎来电咨询。

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