8N65品质mos管

90N10/100N10-ASEMI_MOSFET管

编辑-LL

90N10/100N10-ASEMI_MOSFET管

MOS管驱动

跟双极性晶体管相比，普通以为使MOS管导通不需求电流，只需GS电压高于一定的值，就可以了。这个很容易做到，品质mos管，但是，我们还需求速度。在MOS管的结构中可以看到，在GS，GD之间存在寄生电容，而MOS管的驱动，理论上就是对电容的充放电。对电容的充电需求一个电流，由于对电容充电瞬间可以把电容看成短路，所以瞬间电流会比较大。选择/设计MOS管驱动时要留意的是可提供瞬间短路电流的大小。第二留意的是，普遍用于驱动的NMOS，导通时需求是栅极电压大于源极电压。而驱动的MOS管导通时源极电压与漏极电压（VCC）相同，所以这时栅极电压要比VCC大4V或10V。假设在同一个系统里，要得到比VCC大的电压，就要特地的升压电路了。很多马达驱动器都集成了电荷泵，要留意的是应该选择适合的外接电容，以得到足够的短路电流去驱动MOS管。上边说的4V或10V是常用的MOS管的导通电压，设计时当然需求有一定的余量。而且电压越高，导通速度越快，导通电阻也越小。往常也有导通电压更小的MOS管用在不同的范畴里，但在12V汽车电子系统里，普通4V导通就够用了。

编辑-LL

同步整流管和整流二极管

同步整流管SR及整流二极管构成的半波整流电路如图1（b）所示。当SR的门极驱动电压ug，8N60品质mos管，与正弦波电源电压仍同步变化时，8N65品质mos管，则负载R上得到的是与二极管整流电路相同的半波正弦波电压波形1fR。

同步整流管的源一漏极之间有寄生的体二极管，还有输出结电容（未画出），驱动信号加在门极和源极（G-S）之间，是一种可控的开关器件。皿关断时，电流仍然可以由体二极管流通。不过m体二极管的正向导通压降和反向恢复时间都比SBD大得多，因此，一旦电流流过SR的体二极管，则整流损耗将明显增加。

由于同步整流是由可控的三端半导体开关器件来实现的，7N65品质mos管，因此必须要有符合一定时序关系的门极驱动信号去控制它，使其像一个二极管一样地导通和关断。驱动方法对银的整体性能影响很大，因此，门极驱动信号往往是设计同步整流电路时必须要解决的首要问题。例如，SR开通过早或关断过晚，都可能造成短路，而开通过晚或关断过早又可能使SR的体二极管导通，使整流损耗和器件应力增大。

编辑-LL

MOS管一bai般又叫场效应管，与二极管du和三极管不同，二极管只能通过正zhi向电流，反向截止，不能控dao制，三极管通俗讲就是小电流放大成受控的大电流，MOS管是小电压控制电流的。

ASEMI-7N65_mos管

产品：7N65

品牌：ASEMI

电流：7A

电压：650V

产品描述：MOS管又称场效应管，即在集成电路中绝缘性场效应管。

7A，650V，R DS(ON) =1.4Ω@V GS =10V/3.5A

Low gate charge

Low C iss

Fast switching

avalanche tested

Improved dv/dt capability

8N65品质mos管-ASEMI(在线咨询)-品质mos管由鼎芯实业（深圳）有限公司提供。鼎芯实业（深圳）有限公司（www.asemi360.com）坚持“以人为本”的企业理念，拥有一支技术过硬的员工队伍，力求提供更好的产品和服务回馈社会，并欢迎广大新老客户光临惠顾，真诚合作、共创美好未来。鼎芯实业——您可信赖的朋友，公司地址：深圳市福田区福虹路9号世贸广场A座38层，联系人：李强。同时本公司（www.asemi.wang）还是从事整流桥型号参数，整流桥型号封装，整流桥型号价格的厂家，欢迎来电咨询。