10N65场效应管

90N10/100N10-MOS开关管ASEMI品质MOSFET管

编辑-LL

90N10/100N10-MOS开关管ASEMI品质MOSFET管

损失不管是NMOS还是PMOS，导通后都有导通电阻存在，这样电流就会在这个电阻上消耗能量，这部分消耗的能量叫做导通损耗。选择导通电阻小的MOS管会减小导通损耗。往常的小功率MOS管导通电阻普通在几十毫欧左右，几毫欧的也有。MOS在导通和截止的时分，一定不是在瞬间完成的。MOS两端的电压有一个降落的过程，流过的电流有一个上升的过程，在这段时间内，场效应管，MOS管的损失是电压和电流的乘积，叫做开关损失。通常开关损失比导通损失大得多，而且开关频率越快，损失也越大。导通瞬间电压和电流的乘积很大，构成的损失也就很大。缩短开关时间，10N65场效应管，可以减小每次导通时的损失；降低开关频率，可以减小单位时间内的开关次数。这两种办法都可以减小开关损失。mos管

编辑-LL

4N65_场效应管ASEMI品质MOS管

4A，650V，8N80场效应管，R DS(ON) =2.2Ω@V GS =10V/2A

 Low gate charge

 Low C iss

 Fast switching

100% avalanche tested

Improved dv/dt capability

晶体管有N型channel所有它称为N-channel MOS管，或NMOS。P-channel MOS（PMOS）管也存在，4N65场效应管，是一个由轻掺杂的N型BACKGATE和P型source和drain组成的PMOS管。如果这个晶体管的GATE相对于BACKGATE正向偏置，电子就被吸引到表面，空穴就被排斥出表面。

编辑-LL

MOS管一般又叫场效应bai管，与二极管和三du极管不同，二极zhi管只能通过正向电流，反向截止，不dao能控制，三极管通俗讲就是小电流放大成受控的大电流，MOS管是小电压控制电流的，MOS管的输入电阻极大，兆欧级的，容易驱动，但是价格比三极管要高，一般适用于需要小电压控制大电流的情况，电磁炉里一般就是用的20A或者25A的场效应管。

场效应管-ASEMI-4N65场效应管由鼎芯实业（深圳）有限公司提供。鼎芯实业（深圳）有限公司（www.asemi360.com）是广东 深圳 ,二极管的企业，多年来，公司贯彻执行科学管理、创新发展、诚实守信的方针，满足客户需求。在鼎芯实业领导携全体员工热情欢迎各界人士垂询洽谈，共创鼎芯实业更加美好的未来。同时本公司（www.asemi.wang）还是从事整流桥型号参数，整流桥型号封装，整流桥型号价格的厂家，欢迎来电咨询。