AO3401场效应管

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低压MOS场效应管AO3401产品信息：

型号：AO3401       类型（N/P）：P沟道

V(BR)DSS:-30V      VGS:-12V

ID 25℃:-4.2A          VGS(th)typ:-1V

PD(W)25℃:1.2W    封装形式：SOT-23/SOT23-3L

替代型号：AO3401/AO3415/IRLML6401/IRLML6402/SI2307

我司低压MOS产品电流大、内阻小，完全符合市场的要求。

产品应用：

1、MP3/MP4/MP5/PMP播放器       2、MID/UMPC

3、GPS/蓝牙耳机                             4、PDVD/车载DVD/汽车音响

5、液晶电视/液晶显示器                6、移动电源/电子烟

7、手机电池、锂电池保护板         8、LED照明/LED电源

9、LED显示屏                                10、智能充电器

11、小家电/家电控制板                 12、电脑主板/显卡    

工作原理：

　　场效应管工作原理用一句话说，就是“漏极-源极间流经沟道的ID，用以门极与沟道间的pn结形成的反偏的门极电压控制ID”。更正确地说，ID流经通路的宽度，即沟道截面积，它是由pn结反偏的变化，产生耗尽层扩展变化控制的缘故。在VGS=0的非饱和区域，表示的过渡层的扩展因为不很大，根据漏极-源极间所加VDS的电场，源极区域的某些电子被漏极拉去，即从漏极向源极有电流ID流动。从门极向漏极扩展的过度层将沟道的一部分构成堵塞型，ID饱和。将这种状态称为夹断。这意味着过渡层将沟道的一部分阻挡，并不是电流被切断。

　　在过渡层由于没有电子、空穴的自由移动，在理想状态下几乎具有绝缘特性，通常电流也难流动。但是此时漏极-源极间的电场，实际上是两个过渡层接触漏极与门极下部附近，由于漂移电场拉去的高速电子通过过渡层。因漂移电场的强度几乎不变产生ID的饱和现象。其次，VGS向负的方向变化，让VGS=VGS(off)，此时过渡层大致成为覆盖全区域的状态。而且VDS的电场大部分加到过渡层上，将电子拉向漂移方向的电场，只有靠近源极的很短部分，这更使电流不能流通。

主要作用:

1.场效应管可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。

2.场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。

3.场效应管可以用作可变电阻。

4.场效应管可以方便地用作恒流源。

5.场效应管可以用作电子开关。

深圳迪浦低压MOS场效应管一直受广大客户的赞评，场效应管深圳迪浦值得信赖。

深圳市迪浦电子有限公司是迪浦国际集团（香港）的全资子公司，是中国最早从事低压差稳压电路（LDO）、MOS管、电源管理IC和功率半导体器件领先的设计与销售企业之一，专业从事各种电源管理IC和功率半导体器件的设计、生产和销售。

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负责人：吴经理

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