铟靶材厂

磷化铟靶材(InP)，铅靶材(PbAs)，铟靶材(InAs)。用准确仪器设备在半导体芯片各个功能层上镀覆一层薄薄的透明金属导电膜，这层膜的厚度因功能需求而有不同，一般在30纳米至200纳米之间，不足头发丝直径五百分之一，以实现半导体金属的物理化学性能，业界将这种层称为薄膜。制造钨靶材的大致过程就是先按配比进行用粉末混合，再经高温烧结成形。 靶坯属于溅射靶材的核心部分，是高速离子束流轰击的目标材料。靶坯被离子撞击后，其表面原子被溅射飞散出来并沉积于基板上制成电子薄膜。由于高纯度金属强度较低，因此溅射靶材需要在高电压、高真空的机台环境内完成溅射过程。非常高纯金属的溅射靶坯需要与背板通过不同的焊接工艺进行接合，背板起到主要起到固定溅射靶材的作用。