钨靶材图片

钨钛合金靶，不锈钢靶、钼铌靶、铝钕靶、锆铝靶、铬钨靶、铬钒靶、钛铝靶、铜镓靶、铜铟镓靶、铜铟镓硒，锌铝靶等合金靶材。 真空镀膜过程非常复杂，由于镀膜机原理的不同分为很多种类，仅仅因为都需要高真空度而拥有统一名称。所以对于不同原理的真空镀膜机，影响均匀性的因素也不尽相同。并且均匀性这个概念本身也会随着镀膜尺度和薄膜成分而有着不同的意义。薄膜均匀性的概念：1.厚度上的均匀性，也可以理解为粗糙度，在光学薄膜的尺度上看（也就是1/10波长作为单位，约为100A），真空镀膜的均匀性已经相当好，可以轻松将粗糙度控制在可见光波长的1/10范围内，也就是说对于薄膜的光学特性来说，真空镀膜没有任何障碍。但是如果是指原子层尺度上的均匀度，也就是说要实现10A甚至1A的表面平整，是现在真空镀膜中主要的技术含量与技术瓶颈所在。MBE分子束外沿镀膜技术。已经比较好的解决了如上所属的问题，但是基本用于实验研究，工业生产上比较常用的一体式镀膜机主要以离子蒸发镀膜和磁控溅射镀膜为主。 在晶圆制造环节，靶材主要用于执着晶圆导电层、阻挡层以及金属栅极，而且在芯片封装环节，靶材用来生成点下金属层、布线层等金属材料。靶材正在晶圆制造和芯片封装领域用量不大，根据SEMI的统计数据，靶材在晶圆制造及封装过程成本占比均约在3%左右，接影响导电层、阻挡层的均匀程度及性能，进而影响芯片传输速度及稳定性。在极大规模集成电路制作工艺过程中，硅片所能允许的微粒数必须小于30个。怎样控制溅射靶材的晶粒，解决溅射过程中的微粒飞溅现象成为溅射靶材的研发方向之一。形平面靶镀膜均匀性好的情况下，在溅射过程中，溅射靶材中的原子容易沿着特定的方向溅射出来，圆环内表面和外表面，即内外表面应分别为S极和N极，然而，这种充磁方法几乎是办不到的。