铬靶材生产

溅射原理：用高压加速气态离子轰击钨靶材。目前制备薄膜电池较为常用的溅射靶材包括铝靶、铜靶、钼靶、铬靶以及ITO靶、AZO靶(氧化铝锌)等。在AZO薄膜的制备方法中，磁控溅射技术具有成膜致密和成本低等优点。要获得高性能的AZO薄膜，直流磁控溅射一般要求基片加热到200~500℃，提高了实际应用中的成本。 日本企业在半导体材料研发方面深耕多年，技术已经达到炉火纯青的地步，在硅晶圆材料、光罩、靶材等重要的细分子领域所占份额都多达50%以上。韩国的和海力士二者相加在半导体细分领域DARM占比将近75%。中国的半导体行业正处于成长关键期，材料和技术仍依赖进口，受到国际市场影响，围绕半导体行业的焦虑在持续蔓延。在光学器件领域。