铜镍合金靶材

平板显示镀膜用溅射靶材主要品种有:钼靶、铝靶、铝合金靶、铬靶、 铜靶、铜合金靶、硅靶、钛靶、铌靶和氧化铟锡(ITO)靶材等。硅靶材作为应用于手机玻璃盖板的重要靶材产品,它的的研发情况、现在市场占有率、以及未来市场前景如何？从行业角度看,国内靶材市场至少有十倍的进口替代空间。靶材是半导体、显示面板、异质结光伏领域等的关键核心材料,存在工艺不可替代性。据测算2019年大部分国家靶材市场规模在160亿美元左右,而国内总需求占比超30%。太阳能方面，HJT电池成本构成中,硅片占比接近50%;非硅材料成本构成中,银浆与靶材合计占比超过70%。2021年由于上游硅料供给受限以及虚拟商品价格波动,光伏产业链价格呈现短期非常态,对于电池成本构成因素的研究有较大扰动。 HJT电池的成本主要由硅片、浆料、靶材、设备折旧和其他构成，成本占比分别为53%/25%/6%/5%/11%。目前HJT非硅成本占比约47%，而PERC电池非硅成本占比约43%，主要是HJT低温银浆、靶材、设备等非硅成本较高。目前HJT电池银耗约为PERC的2倍多。PERC的银浆通过高温烧结固化，银粉熔融在一起，容易形成导电通路。而HJT是低温工艺，低温银浆的导电性能弱于高温银浆，因此需要提高银的含量来提高导电性。未来HJT降本主要依靠硅耗减少、银浆降本、靶材国产化、设备降本来实现。银包铜技术有望大幅降本，栅线工艺优化降低银耗。银包铜是在铜的表面包裹银粉，低温加工工艺使得铜作为导电材料，从而降低银的使用量。一般低温银浆中银含量约92%，8%为农业生产体系物玻璃粉等，而银包铜中银、铜、农业生产体系物的含量分别为41%/51%/8%，使得银含量占比降低近一半。 靶材的生产制造具有一定的技术壁垒。由于靶材的质量直接影响TCO薄膜的一致性和均匀性，因此靶材的纯度、致密度和均匀性等要求较高，靶材的金属纯度要求达到99.995%以上，靶材的致密度对TCO薄膜的电学和光学性能有显著影响，靶材的成分、晶粒度直接影响薄膜的一致性和均匀性，因此靶材的材料和制造工艺具有一定的技术壁垒。靶材是TCO薄膜生产的核心材料。TCO薄膜生产主要采用ITO、SCOT、IWO、ICO四种靶材，溅射是制造TCO薄膜的主要工艺，利用离子源产生的离子，在真空中经过加速，形成高速离子束流，轰击固体表面，离子和固体表面的原子发生动能交换，使固体表面的原子离开固体并沉积在基底表面，被轰击的固体称为溅射靶材。TCO薄膜沉积主要采用PVD和RPD两种技术，PVD技术以ITO、SCOT作为靶材，RPD以IWO、ICO作为靶材。