旋转镍靶材

半导体芯片行业用的金属溅射靶材，主要种类包括：铜、钽、铝、钛、钴和钨等高纯溅射靶材，以及镍铂、钨钛等合金类的溅射靶材。铜靶和钽靶通常配合起来使用。目前晶圆的制造正朝着更小的制程方向发展，铜导线工艺的应用量在逐步增大，因此，铜和钽靶材的需求将有望持续增长。铝靶和钛靶通常配合起来使用。目前，在汽车电子芯片等需要110nm以上技术节点来保证其稳定性和抗干扰性的领域，仍需大量使用铝、钛靶材。高纯贵金属靶材被誉为半导体芯片材料的王者，半导体产业对溅射靶材和溅射薄膜的品质要求非常高，随着更大尺寸的硅晶圆片制造出来，相应地要求溅射靶材也朝着大尺寸、高纯度的方向发展，同时也对溅射靶材的晶粒晶向控制提出了更高的要求。 靶材成本居高不下，是异质结电池产业化过程中的一个大阻碍。靶材是高速荷能粒子轰击的目标材料，故靶材也叫溅射靶材（纯度：99.9%-99.999%），具有较高的技术壁垒。高纯铝及铝合金是目前使用广泛的导电层薄膜材料之一。和超大规模集成电路芯片的制造对溅射靶材金属纯度的要求相比，太阳能电池用铝靶的金属纯度略低，99.995%（4N5）以上。与国际企业生产的溅射靶材相比，我国溅射靶材研发生产技术还存在一定差距，市场影响力相对有限，尤其在半导体芯片、平板显示器、太阳能电池等领域，高纯溅射靶材市场依然被美国、日本的溅射靶材生产厂商所控制或垄断。随着溅射靶材朝着更高纯度、更大尺寸的方向发展。我国溅射靶材生产企业只有不断进行研发创新。