HIP铬靶

国内高纯镍铬合金靶材的发展状况：目前，国内外镍铬合金靶材在纯度方面的差距显著，国内所生产的镍铬合金靶材能达到4N级，而日本相关靶材厂家制备的镍铬靶可以达到5N以上。超高纯、高利用率与良好的溅射沉积均匀性是高质量靶材所追求的优良特性，因此在靶材基本制备方法的基础上，需要不断优化工艺提高靶材质量，具体地，从高纯化、提高磁透率(PTF)以及组织结构控制等方面提高靶材质量，将成为镍铬合金靶材制备工艺的发展趋势。 靶材的组织结构控制也与溅射沉积均匀性有密切关系。通常溅射靶材晶粒尺寸需要控制在200μm以下，而且晶粒尺寸越细小均匀，溅射镀膜的厚度分布越均匀，溅射速率也越快。 镍铬硅化物作为优良的接触材料广泛应用于LOW-E玻璃和半导体制造中，镍铬合金溅射靶材成为保证LOW-E和半导体器件性能和发展半导体技术的关键材料，其不断增长的需求量为中国贵金属靶材制造业的发展提供了机遇和挑战。新材料靶材厂家在纯度上有了新的突破，高纯化、靶材组织结构控制以及提高磁透率(PTF)将成为镍铬合金靶材制备工艺的发展趋势。提高靶材纯度到5N以上，晶粒大小均匀且平均晶粒尺寸控制在 200 μm 以下，是目前镍铬靶材工艺优化的目标。镍铬合金靶材的晶体织构与靶材溅射性能的关联性研究以及织构控制等方面也将是镍铬合金溅射靶材新的研发趋势。