广东石墨靶材

高纯真空溅射靶材可分为：高纯金属靶材、多元合金靶材、陶瓷溅射靶材、金属膜电阻器用靶材。高纯金属靶材:锆靶Zr、铬靶Cr、钛靶Ti、铝靶Al、锡靶Sn、钒靶V、锑靶Sb、硼靶 B、钨靶W、锰靶Mn、铋靶Bi、铜靶Cu、石墨靶C、硅靶Si、钽靶Ta、锌靶Zn、镁勒 Mg、铌靶Nb、钼靶Mo、镍靶Ni、银靶Ag、不锈钢靶材等……多元合金靶材;钛铝靶Ti-Al、钛锆靶Ti-Zr、钛硅靶Ti-Si、钛镍靶Ti-Ni、镍铬靶Ni-Gr镍铝靶Ni-A1、镍钒靶Ni-V 镍铁靶Ni-Fe、铝硅靶Al-Si、钛硅靶Ti-Si、铬硅靶Cr-Si锌铝靶Zn-Al、钛锌靶材Ti-Zn、铝硅铜靶Al-Si-Cu等……半导体芯片行业是金属溅射靶材的主要应用领域之一，是对靶材的成分、筹备和性能要求高的领域。 影响磁控靶溅射电压的主要因素有:靶面磁场、靶材材质、气体压强、阴-阳极间距等。学者详细分析这些因素距对靶溅射电压的影响。一、靶面磁场对靶溅射电压的影响。磁控靶的阴极工作电压，随着靶面磁场的增加而降低，也随着靶面的溅射刻蚀槽加深而降低。溅射电流也随着靶面的溅射刻蚀槽加深而加大。这是因为靶的溅射刻蚀槽面会越来越接近靶材后面的较好磁钢的强磁场。因此，靶材的厚度是有限制的。较厚的非磁性靶材能够在较强的磁场中使用。当磁场强度增加到01T以上时，磁场强度对溅射电压的影响就不明显了。铁磁性靶材会对磁控靶的溅射造成影响，由于大部分磁力线从铁磁性材料内部通过，使靶材表面磁场减少，需要很高电压才能让靶面点火起辉。除非磁场非常的强。否则磁性材靶材必须比非磁性材料要演，才能起辉和正常运行(永磁结构的Ni靶的典型值小于016cm，磁控靶非特殊设计较大值通常不宜超过3mmFeco靶的较大值不超过2mm;电磁结构的靶可以溅射厚一些的靶材，甚至可达6mm厚)才能正常运行。 基于理物相沉积(PVD)的溅射工艺具有薄膜纯度高、成膜质量好、沉积速度快、工艺稳定可靠等优点，广泛应用于集成电路生产制造中具有不可替代性。溅射沉积薄膜的原材料就是靶材，靶材的化学纯度、筹备性能等直接决定了芯片中接触层、介质层、互连层等薄膜的性能，从而影响电子产品的性能和寿命。芯片对溅射靶材的要求非常高，它要求靶材纯度要达到5N(99.999%)以上。在真空中制备膜层，包括镀制晶态的金属、半导体、绝缘体等单质或化合物膜。虽然化学汽相沉积也采用减压、低压或等离子体等真空手段，但一般真空镀膜是指用物理的方法沉积薄膜。真空镀膜有三种形式，即蒸发镀膜、溅射镀膜和离子镀。