热蒸发镀膜 PC-003

主要用途 可用于生产和科学实验，可根据用户要求专门订制。 在高真空条件下，用电阻热蒸发的方法，在衬底上沉积各种金属、有机材料、化合物、混合物单层膜、多层膜或掺杂膜。 可用于各种材料的物理和化学研究。 可用于制备金属导电电极。 可用于有机材料的物理化学性能研究实验、有机半导体器件的原理研究实验、OLED实验研究及有机太阳能薄膜电池研究实验等。 设备结构模式 单镀膜室 单镀膜室＋进样室 单镀膜室＋手套箱（可将镀膜室放在手套箱内） 单镀膜室＋进样室＋手套箱（可将镀膜室放在手套箱内） 多镀膜室＋样品传递室＋手套箱（组成团簇式结构，样品传递采用真空机械手） 设备组成 电阻热蒸发源组件、样品掩膜挡板系统、真空获得系统及真空测量系统、分子泵（或冷泵）真空机组、旋转基片加热台、工作气路、 样品传递机构，膜厚控制系统、电控系统、恒温冷却水系统等组成。 热蒸发源类型和数量，可根据用户需要进行配置。 可选件：膜厚监控仪，恒温制冷水箱。 热蒸发源种类及配置 电阻热蒸发源组件，数量：1～12套（可根据用户要求配装）； 电阻热蒸发源种类：钽（钨或钼）金属舟热蒸发源组件、石英舟热蒸发源组件、钨极或钨蓝热蒸发源组件、钽炉热蒸发源组件 （配氮化硼坩埚或陶瓷坩埚）、束源炉热蒸发组件（配石英坩埚或氮化硼坩埚）; 真空性能 极限真空：7×10-5Pa～7×10-6Pa 设备总体漏放率：关机12小时，≤10Pa 操作方式 手动、半自动