PECVD设备 PC-006

PECVD设备（等离子体增加强化学气相沉积PECVD）主要用于在洁净真空环境下进行氮化硅和氧化硅的薄膜生长；采用单频或双频等离子增强型化学气相沉积技术，是沉积高质量的氮化硅、氧化硅等薄膜的理想工艺设备。

设备用途和功能特点

1、该设备是高真空单频或双频等离子增强化学气相沉积PECVD薄膜设备，主要用于制备氮化硅和氧化硅薄膜。

2、设备保护功能强，具备真空系统检测与保护、水压检测与保护、相序检测与保护、温度检测与保护。

3、配置尾气处理装置。

设备安全性设计

1、电力系统的检测与保护

2、设置真空检测与报警保护功能

3、温度检测与报警保护

4、冷却循环水系统的压力检测和流量检测与报警保护

设备技术指标

类型	参数
样片尺寸	≤φ8英寸（或多片2英寸）
样片加热台加热温度	室温～ 600℃±0.1℃
真空室极限真空	≤7×10-5Pa
工作背景真空	≤8×10-4Pa
设备总体漏放率	停泵12小时后，真空度≤10Pa
样品、电极间距	5mm ～ 50mm在线可调
工作控制压强	10Pa ～ 1500Pa
气体控制回路	根据工艺要求配置
单频电源的频率	13.56MHz
双频电源的频率	13.56MHz/400KHz

工作条件

类型	参数
供电	三相五线制 AC 380V
工作环境温度	10℃～ 40℃
气体阀门供气压力	0.5MPa ～ 0.7MPa
质量流量控制器输入压力	0.05MPa ～ 0.2MPa
冷却水循环量	0.6m3/h 水温18℃～ 25℃
设备总功率	7kW
设备占地面积	2.0m ～ 2.0m

单室与多室PECVD设备