高纯铜靶材

 靶材的技术发展主要取决于先进薄膜材料、先进的薄膜沉积制备技术和薄膜结构的控制以及对薄膜物理、化学行为相关的表面科学技术的深入研究。和微量的掺杂剂放置在石英坩埚中，在真空或高纯氩气气氛中加热融化，控制适当的温度，将籽晶插入熔体，使熔融多晶硅按籽晶的硅原子排列顺序结晶凝固成单晶硅。化、缩颈、放肩、等经、收尾等步骤。区熔法属于无坩埚法的一种，该法显著的特点是不用坩埚盛装熔融硅，而是依靠在高频电磁场作用下硅的表面张力和电磁力支撑局部融化的硅液，又称为悬浮区熔法，区熔提纯的原理是根据熔化的晶体再结晶过程杂质在固相和液相中的浓度不同而达到提纯的目的。稳定的温度系数，保证了在极冷和极热地区也能有稳定的收益率。