ito靶材生产厂家

降低ITO薄膜电阻率的新沉积方法——HDAP法，是利用高密度的电弧等离子体（HDAP）放电轰击ITO靶材，使ITO材料蒸发，沉积到基体材料上形成ITO薄膜。由于高能量电弧离子的作用导致ITO粒子中的In、Sn达到完全离化，从而增强沉积时的反应活性，达到减少晶体结构缺陷，降低电阻率的目的。利用同样成分的ITO材料，其它工艺条件保持一样，并在同样的基片温度下，分别进行“DC磁控溅射”、“DC+RF磁控溅射”、“HDAP法制备ITO薄膜”的实验。实验结果可以看出，利用HDAP法能获得电阻率较低的ITO薄膜，尤其是在基片温度不能太高的材料上制备ITO薄膜时，使用HDAP法制备ITO薄膜可以得到较理想的ITO薄膜。基片温度到350℃左右时，这三种沉积方法对ITO薄膜电阻率的影响较小。

国内溅射靶材发展与应用，20 世纪90 年代以来靶材已蓬勃发展成为一个产业，中国及亚太地区靶材的需求占有70%以上的市场份额。大量不同的沉积技术用来沉积生长各种薄膜 ，而靶材是制作薄膜的关键，品质的好坏对薄膜的意义重大。目前高端品质靶材主要由:日本、德国和美国生产，陶瓷靶材厂家，我国靶材产业起步较晚，在产品质量与精细标准上与国外有不少的差距，国内也有许多大学及研究机构对靶材积极投入了大量钻研与开发，经过这几年的发展也涌现了一批在靶材行业优1秀的公司和院校。在国内占据了大部分中等和要求不高的靶材市场份额。

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