hit电池靶材

HIT电池结构，中间衬底为N型晶体硅，通过PECVD方法在P型a-Si和c-Si之间插入一层10nm厚的i-a-Si本征非晶硅，在形成pn结的同时。背面为20nm厚的本征a-Si：H和N型a-Si：H层，在钝化表面的同时可以形成背表面场。由于非晶硅的导电性较差，射技术溅射TCO膜进行横向导电，采用丝网印刷技术形成双面电极，使得HIT电池有着对称双面电池结构。HIT电池是以晶硅太阳能电池为衬底，以非晶硅薄膜为钝化层的电池结构。种在P型氢化非晶硅和n型氢化非晶硅与n型硅衬底之间增加一层非掺杂(本征)氢化非晶硅薄膜的电池结构。结电池，即PN结是在同一种半导体材料上形成的，而异质结电池的PN结采用不同的半导体材料构成。