CNAS 认可实验室于大功率器件

长禾实验室专注于功率半导体器件的动、静态参数检测、可靠性检测、失效分析、温循试验、热阻测试等领域的技术服务。业务范围主要涉及国内轨道交通、风力发电、科研单位院所、工业控制船舶、航空航天、新能源汽车等行业。也是第三代半导体（宽禁带半导体）应用解决方案服务商。 长禾实验室秉承创新务实的经营理念，为客户提供的服务、完善的解决方案及的技术支持；同时注重与行业企业、高校和科研院所的合作与交流，测试技术与服务水平不断提升。 检测项目 覆盖产品 检测能力 参考标准 功率循环试验（PC） IGBT模块 ΔTj=100℃ 电压电流1800A 12V IEC 客户自定义 高温反偏试验（HTRB） MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR，第三代半导体器件等单管器件 温度150℃； 电压2000V 美军标，国标，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等 高温门试验（HTGB） MOSFET、SiC MOS等单管器件 温度150℃； 电压2000V 美军标，国标，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等 高温工作寿命试验（HTOL） MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、第三代半导体器件等单管器件 温度150℃ 电压2000V 美军标，国标，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等 低温工作寿命试验（LTOL） MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、第三代半导体器件等单管器件 温度80℃ 电压2000V 美军标，国标，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等 高温储存试验（HTSL） MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、IGBT模块、第三代半导体器件等产品及其他电子产品 温度150℃； 美军标，国标，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等 低温储存试验（LTSL） MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、IGBT模块、第三代半导体器件等产品及其他电子产品 温度80℃ 美军标，国标，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等 高温高湿试验（THB） MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、IGBT模块、第三代半导体器件等产品及其他电子产品 温度180℃ 湿度范围：10%~98% 美军标，国标，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等 高低温循环试验（TC） MOSFET、IGBT、IDIODE、BJT、SCR、IC、IGBT模块、第三代半导体器件等产品及其他电子产品 温度范围：-80℃~220℃ 美军标，国标，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等 间歇寿命试验（IOL）功率循环试验（PC） MOSFET、DIODE、BJT、IGBT及第三代半导体器件等单管器件 ΔTj≧100℃ 电压电流48V，10A 美军标，国标，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等 稳态功率试验（SSOL） MOSFET、DIODE、BJT、IGBT及第三代半导体器件等单管器件 ΔTj≧100℃ 电压电流48V，10A 美军标，国标，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等 高加速应力试验（HAST） MOSFET、DIODE、BJT、IGBT及第三代半导体器件等产品及其他电子产品 温度130℃/110℃ 湿度85% 美军标，国标，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等 *无偏压的高加速应力试验（UHAST） MOSFET、DIODE、BJT、IGBT及第三代半导体器件等产品及其他电子产品 温度130℃ 湿度85% 美军标，国标，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等 高温蒸煮试验（PCT） MOSFET、DIODE、BJT、IGBT及第三代半导体器件等产品及其他电子产品 温度121℃ 湿度100% 美军标，国标，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等 预处理试验（Pre-con） 所有SMD类型器件 设备满足各个等级的试验要求 美军标，国标，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等 潮气敏感度等级试验（MSL） 所有SMD类型器件 设备满足各个等级的试验要求 美军标，国标，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等 *可焊性试验（Solderability） MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、第三代半导体器件等单管器件 有铅、无铅均可进行 美军标，国标，JEDEC，IEC，AEC,客户自定义等