功率器件MOSFET动静态参数测

IGBT模块简介 IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor（绝缘栅双型晶体管）的缩写，IGBT是由MOSFET和双型晶体管复合而成的一种器件，其输入为MOSFET，输出为PNP晶体管，它融和了这两种器件的优点，既具有MOSFET器件驱动功率小和开关速度快的优点，又具有双型器件饱和压降低而容量大的优点，其频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间，可正常工作于几十kHz频率范围内，在现代电力电子技术中得到了越来越广泛的应用，在较高频率的大、中功率应用中占据了主导地位。 可知，若在IGBT的栅G和发射E之间加上驱动正电压，则MOSFET导通，这样PNP晶体管的集电C与基之间成低阻状态而使得晶体管导通；若IGBT的栅和发射之间电压为0V，则MOS 截止，切断PNP晶体管基电流的供给，使得晶体管截止。IGBT与MOSFET一样也是电压控制型器件，在它的栅G—发射E间施加十几V的直流电压，只有在uA级的漏电流流过，基本上不消耗功率。