碳化硅器件测试中心

检测项目 覆盖产品 检测能力 参考标准 直流参数 MOSFET、IGBT、DIODE等模块产品； 检测电压：7500V 检测电流：6000A 国标，IEC 雪崩能量 MOSFET、IGBT、DIODE，第三代半导体器件等单管器件 检测电压：2500V 检测电流：200A 美军标 栅电阻 MOSFET、IGBT及第三代半导体器件 检测阻0.1Ω～50Ω JEDEC 开关时间 MOSFET、IGBT、DIODE及第三代半导体单管器件； 检测电压：1200V 检测电流：200A 美军标，国标，IEC等 开关时间 IGBT等模块产品 检测电压：2700V 检测电流：4000A 国标，IEC 反向恢复 MOSFET、IGBT、DIODE及第三代半导体器件等单管器件 检测电压：1200V 检测电流：200A 美军标，国标，IEC等 反向恢复 IGBT等模块产品 检测电压：2700V 检测电流：4000A 国标，IEC 栅电荷 MOSFET、IGBT、DIODE及第三代半导体器件等单管器件 检测电压：1200V 检测电流：200A 美军标，国标，IEC等 栅电荷 IGBT等模块产品 检测电压：2700V 检测电流：4000A 国标，IEC 短路耐量能力 MOSFET、IGBT、DIODE及第三代半导体器件等单管器件 检测电压：1200V 检测电流：1000A 美军标，国标，IEC等 短路耐量能力 IGBT等模块产品 检测电压：2700V 检测电流：10000A 国标，IEC 结电容 MOSFET、IGBT及第三代半导体器件等单管器件 检测电压：3000V IEC 参数曲线扫描 MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR，第三代半导体器件等单管器件的I-V、C-V曲线 检测电压：3000V 检测电流：1500A 温度：-70°C~180°C 美军标，IEC等 热阻性能 MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR，第三代半导体器件等单管产品 功率：250W 美军标，JEDEC 热阻性能 IGBT等模块产品 功率：4000W 美军标，JEDEC ESD能力 MOSFET、IGBT、IC等产品 HBM电压：8000V；MM电压：800V 美军标，ANSI，JEDEC等 *正向浪涌能力 DIODE（Si/SiC）、整流桥 检测电流：800A 美军标，国标