定制多功能PE-CVD镀膜设备

1、整体设备采用聚簇式结构：

   a.样品室作为转换室，可实现3*5片样品的自动传递与收纳；

   b.3个反应室合理分布在样品室周边，真空密封连接；

   c.反应室加热温度分别是1200℃、1400℃、1700℃，显示精度

0.1℃，控制精度±0.5℃，30段程序控温，超温、断偶报警

功能；

   d.反应室具备样品淬火冷阱，便于实现设计工艺要求；

   e.其中之一反应室为石英腔室，可方便观察内部样品沉积状况，

其他两个反应室应设置石英观察窗口，便于观察及测量；

   f.中控区域置于合理操作区域，并尽量与整体设备合理布局，减

少占地面积；

   g.中控机构控制部分采用工业PLC控制，人机界面采用嵌入式触

摸屏；

   h.整体设备做到去仪表化，减少仪表的使用，要求工控集成度高；

   i.控制部分可实现自动化与手动化操作的兼容性和可切换性；

   j.人机界面具备不同实验组数据区别存储化、数据U盘库导入/

出功能、界面曲线表格化。

2、样品直径尺寸2英寸，厚度1mm，样品根据实验功能化，需要对设备提出如下要求：

   a.样品在高温状态反应结束后，需迅速进入急冷状态，实现淬火；

   b.样品在反应室坩埚升温至所需反应温度过程中不可与反应物接

触，减少在升温过程的沉积几率，提高实验数据的精准性；

   c.样品在反应室内不得出现侧翻、放置不平等影响镀膜的状况出

现。

3、设备工作真空度要求：

   a.整体设备真空度≤5Pa，漏率≤10^-7Pa L/s；

   b.设备可实现自动、手动稳压、恒压的功能。

4、设备充气要求：

a.  设备充气系统分为4路质量流量计控制流速，气体流量范围为

0-200sccm，误差为±1.5%；

b.  设备充气系统可实现自动、手动稳压、恒压的功能。

5、3个反应室等离子体辉光放电采用射频电源：

   a.射频频率：13.56MHz；    

   b.射频功率输出范围：5~500W。