旋转硅靶

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    溅射法沉积薄膜的源材料即被轰击的固体，通常称为靶材。靶材按其组成可分为纯金属、合金和化合物三大类。由于溅射技术的广泛应用，靶材已成为一种具有高附加价值的特种光电子材料。

    溅射镀TiO2镀膜时，选用的靶材有Ti， TiO2和TiO2-x(即非化学计量二氧化钛)等不同类型。下文介绍采用3种不同靶材溅射镀膜的具体情况。

Ti靶材，由于所镀的膜是TiO2，所以用金属钛作靶材镀膜时，有一个化学反应过程，气氛为氧气或氧气与其他惰性气体的混合气体。以Ti为靶材大大降低了靶材的制造成本，旋转硅靶价格，采用反应溅射可有效改善薄膜的性质，但存在过程不易稳定、溅射速率较低等弊端。

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    由于靶材和阳极表面的电荷积累，直流反应磁控溅射会遇到靶中毒、阳极消失及靶面和电极间打火等问题。这些问题可以通过施加交变电压不断提供释放靶电荷的机会来解决。根据所采用交变电源的不同，又可分为采用正弦波电源的中频溅射法和采用矩形脉冲电源的脉冲溅射，这两种方法在解决上述问题的同时，还可达到较高的沉积速率。Ohno等采用中频反应双极磁控溅射，以Ti(99.99%)为靶材，旋转硅靶厂家，以未加热的非碱性玻璃为基体，沉积速率可达30 nm·min-1，比常规单极磁控溅射高得多。但上述两种溅射技术的控制过程复杂，对设备要求很高。

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