光氧催化分解设备制作

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光催化氧化原理：

      由于半导体的光吸收阈值与带隙具有式K=1240/Eg(eV)的关系，光氧催化分解设备制作，因此常用的宽带隙半导体的吸收波长阈值大都在紫外区域。当光子能量高于半导体吸收阈值的光照射半导体时，半导体的价带电子发生带间跃迁，即从价带跃迁到导带，从而产生光生电子(e-)和(h+)。此时吸附在纳米颗粒表面的溶解氧俘获电子形成超氧负离子，而空穴将吸附在催化剂表面的氢氧根离子和水氧化成氢氧自由基。而超氧负离子和氢氧自由基具有很强的氧化性，能将绝大多数的有机物氧化至最终产物CO2和H2O，甚至对一些无机物也能彻底分解。

采样位置和采样点

1、采样位置

1.1、采样位置应优先选择在垂直管段。应避开烟道弯头和断面急剧变化的部位。采样位置应设置在据弯头、阀门、变径管下游方向不小于6倍直径和距上述部件上游方向不小于3倍直径处，淄博光氧催化分解设备，对矩形烟囱道，其当量直径D=2AB/(A+B)，式中A，B为边长。

1.2、对于气态污染物，由于混合比较均匀，光氧催化分解设备价格，其采样位置可不受上述规定限制，但应避开涡流区。如果同时测定排气流量，采样位置仍按1.1选取。

1.3、采样位置应避开对测试人员操作有危险的场所。

2、采样孔

2.1在选定的测定位置上开设采样孔，采样孔内径应不小于80mm，采样孔管长应不大于50mm。不使用时应用盖板。管堵或管帽封闭（图1、图2、图3）。当采样孔仅用于采集气态污染物时，其内径应不小于40mm

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