半导体制造类技术

在衬底上制作至少上表面为氮化物的多层薄膜作为生长掩模并利用生长掩模选择生长Ⅲ－Ⅴ族氮化物半导体。生长掩模可以是氧化物和其上的氮化物；金属和其上的氮化物；氧化物、由氮化物和氧化物组成的薄膜以及其上的氮化物；或第一金属，其上与第一金属不同的第二金属和其上的氮化物；氧化物可以是SiO₂，氮化物可以是TiN或SiN，由氮化物和氧化物组成的薄膜可以是SiNO，金属可以是Ti或Pt。
  [CS8174-0150-0004] 使用局部选择氧化在绝缘体上形成的体硅和应变硅 
[摘要] 一种形成单晶半导体层下掩埋氧化区的方法，包括形成氧化速率与具有较快氧化速率的下层不同的外延层和通过掩模内的开口氧化这些层的步骤。可以形成多个氧化物隔离的ＦＥＴ。本发明减少了源／漏寄生电容和短沟道效应，同时通过选择性氧化半导体层隔离ＦＥＴ并消除了ＦＥＴ的浮体效应。<
  [CS8174-0181-0005] 样品处理系统 
[摘要] 一种适合用来制造ＳＯＩ衬底的处理系统，包括一个翻转设备（６１３０）、对中设备（６１２０）、清洗／干燥设备（６１１０）、装料器（６０７０）、卸料器（６０８０、６０９０、６１００）和分割设备（６０２０）。该处理系统还具有一个传送装置，后者在一水平面内沿着一个水平驱动轴（６１６０）直线移动一个机械手（６１５２），并使之绕一旋转轴（６１５１）旋转，从而使所述机械手（６１５２）移近或远离所述旋转轴（６１５１），从而完成接合衬底叠层组（５０）或者分割形成的衬底在所述系列处理设备之间的传送。
  [CS8174-0090-0006] 制造半导体存储器件的方法 
[摘要] 提出了一种制造半导体存储器件的方法，可以防止半导体的位线氧化。在半导体基片上形成一个器件隔离区，以确定有源区和无源区。在半导体基片的有源区上形成一栅电极。在包括该栅电极的半导体基片上形成一第一层间绝缘层。在第一层间绝缘层上形成一位线，以及在包括该位线的第一层间绝缘层上形成一第二层间绝缘层。根据这种方法，可防止被淀积以形成介电层的氮化硅层的断裂与减薄现象的发生，从而防止位线被氧化。
  [CS8174-0157-0007] 集成电路芯片上的电镀互连结构 
[摘要] 描述了一种制造集成电路芯片的亚微米互连结构的工艺。借助于含有添加剂且通常用来淀积平整光亮的可延展的低应力Cu金属的浴液电镀Cu，得到了无空洞和无缝隙的导体。此方法极好地填充图形而不留下空洞或缝隙的能力是独一无二的且优越于其它淀积方法。
  [CS8174-0154-0008] 半导体器件的制造方法 
[摘要] 在半导体器件制造方法中，ＨＢr的气体（腐蚀气体）被制成等离子体，同时其气压保持在等于或小于２mＴorr，等离子体的离子元素诘扔诨虼笥冢保担埃椎钠霉β氏卤患铀伲愿垂杌涯ぃ保薄Ｈ缓螅龋聄气体进一步制成等离子体，同时其气压保持在５－１０mTorr，并且等离子体的离子元素在１０－１００Ｗ的偏置功率下被加速，以用等离子体中的离子元素腐蚀多晶硅膜１０。
  [CS8174-0005-0009] 半导体器件及其制造方法 
[摘要] 一种半导体器件及其制造方法，其中用于在制造区域内形成布线图形的第一光刻胶图形和用于形成诸如对准标记的附属图形的第二光刻胶图形之间的高度差或台阶大大减小了。第二光刻胶图形形成在突起部分上。该突起部分是由故意留下的，由对应于第一和第二层间绝缘膜的绝缘层和导电层、形成在制造区域内的布线图形中的存储电极和平板电极，以及常规器件的第二上布线和接地膜构成。
  [CS8174-0022-0010] 具有至少一个电容器的集成电路装置及其制造方法 
[摘要] 电容器安置在第一基片上，并且带有接点的电路装置的一部分安置在第二基片上。第一基片与第二基片连接，在此，接点紧靠着电容器。基本上可不加校准地进行第一基片与第二基片连接，如果各部分电容器分布在第一基片上，并且接点的接触面如此大，彼此在连接各基片时，接点都紧靠在各部分电容器的至少一个电容器上，于是此部分电容器规定此电容器。此电容器可包含多个部分电容器。此装置尤其是一种ＤＲＡＭ单元装置。
  [CS8174-0047-0011] 混合信号应用系统建模方法及实现该方法的单片现场可编程系统
  [CS8174-0011-0012] 半导体基片的处理系统及处理方法
  [CS8174-0115-0013] 半导体器件及其制造方法
  [CS8174-0084-0014] 电荷传送装置及其制造方法
  [CS8174-0055-0015] 微型计算机及多芯片组件
  [CS8174-0204-0016] 化学汽相淀积稀土掺杂的半导体层

  [CS8174-0128-0017] 半导体器件的制造方法
  [CS8174-0138-0018] 半导体装置用基板、引线框、半导体装置及其制造方法、电路基板和电子装置
  [CS8174-0007-0019] 具有高熔点金属硅化物膜的半导体装置制造方法
  [CS8174-0125-0020] 铜/聚酰亚胺BEOL中的堆叠通孔
  [CS8174-0145-0021] 存储器单元结构,其制造方法及其操作方法
  [CS8174-0217-0022] 使用柔性环氧树脂将散热器直接固定到芯片载体
  [CS8174-0043-0023] 凸起接合方法及凸起接合装置
  [CS8174-0130-0024] 用于蚀刻含有二氧化硅的层的方法
  [CS8174-0187-0025] 具有叠置电容器和埋置字线的动态随机存取存储器
  [CS8174-0132-0026] 可靠的具有减小的薄膜电阻的多晶硅-硅化物栅极叠层
  [CS8174-0075-0027] 同步加速器辐射光的传输系统
  [CS8174-0191-0028] 动态随机存取存储器电容器存储电极的制造方法
  [CS8174-0065-0029] 用于单掩膜C4焊料凸点制造的方法
  [CS8174-0061-0030] 测量图形设置和测量电路图形尺寸精度和重叠精度的方法
  [CS8174-0177-0031] 形成双镶嵌布线的方法
  [CS8174-0111-0032] 半导体集成电路器件及其设计方法
  [CS8174-0188-0033] 带有掺氧保护层的铁电集成电路及其制备方法
  [CS8174-0124-0034] 减小器件制备中的氧化应力
  [CS8174-0144-0035] 半导体集成电路器件以及制造该器件的方法
  [CS8174-0035-0036] 薄膜载带、带载半导体装置组件、半导体装置及其制造方法、封装基板和电子设备

  [CS8174-0146-0037] 半导体装置及其制造方法
  [CS8174-0195-0038] 模块集成电路处理机的转动组件
  [CS8174-0167-0039] 集成半导体存储装置
  [CS8174-0027-0040] 晶圆的固定装置及方法
  [CS8174-0029-0041] 晶体管及其制造方法
  [CS8174-0118-0042] 半导体集成电路装置
  [CS8174-0215-0043] 控制热界面间隙距离的装置
  [CS8174-0096-0044] 树脂封装型半导体装置的制造方法
  [CS8174-0066-0045] 半导体装置及其制造方法
  [CS8174-0050-0046] 具有低位错密度的氮化镓族晶体基底部件及其用途和制法
  [CS8174-0098-0047] 具有多层布线的半导体器件的制造方法
  [CS8174-0170-0048] 半导体器件及其制造方法
  [CS8174-0016-0049] 使用活化氮形成氮化层的热回火方法
  [CS8174-0102-0050] 用于制作集成电路中的二氧化硅和硅玻璃层的方法和装置
  [CS8174-0175-0051] 半导体器件的互连结构及其制造方法
  [CS8174-0214-0052] 晶片级封装及其制造方法以及由其制造半导体器件的方法
  [CS8174-0093-0053] 具有沟槽隔离结构的半导体器件及其制造方法
  [CS8174-0073-0054] 减少集成电路制造过程中侧壁堆积的金属蚀刻方法
  [CS8174-0198-0055] 表面平坦化的方法
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  [CS8174-0120-0057] 降低衬垫膜腐蚀的方法
  [CS8174-0207-0058] 半导体制造工艺和半导体器件制造工艺
  [CS8174-0014-0059] 由半透明副图形辅助对主图形精确转换的对准器所用的光掩模及其制造工艺
  [CS8174-0046-0060] 半导体限流设备
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