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本发明的内装半导体的毫米波段模块，能有效地对来自工作在毫米波段的半导体元件的热进行散热，半导体元件和电路元件的安装密度高。具有：电气绝缘性基板，由包含无机填料和热固化性树脂的混合物构成；高热传导基板，由热传导率比上述电气绝缘性基板高的介质材料构成，重叠在上述电气绝缘性基板的一个面上；多个布线图形，形成在上述高热传导基板和上述电气绝缘性基板上；半导体元件，布置在上述电气绝缘性基板的内部，面朝上安装在上述高热传导基板上，且与上述布线图形电气连接，工作在毫米波段；及分布常数电路元件和有源元件，设置在上述半导体元件上；在上述电气绝缘性基板内部且在上述分布常数电路元件和上述有源元件的表面附近设置空隙。
[CS8145-0018-0004] 细微图案形成方法
[摘要] 本发明提供采用光刻工序形成细微间隔图案的细微图案形成方法。包括下步骤：含导电膜的半导体基板上，依次涂布i-线用抗蚀剂层和正型ArF抗蚀剂层；在基板上用具有规定图案的掩膜，进行曝光及第1烘烤工序，在正型ArF抗蚀剂层内进行甲硅烷化反应，生成醇基(OH)或羧基(COOH)；除去掩膜；在产物上显像，形成第1抗蚀剂层图案；在含有第1抗蚀剂层图案的基板上进行曝光及第2烘烤工序；在其后的基板上用HMDS进行甲硅烷化反应，通过醇基(OH)或羧基(COOH)和HMDS反应，在第1抗蚀剂层图案表面上形成硅氧化膜；将含有硅氧化膜的第1抗蚀剂层图案作掩蔽膜，在上述i-线用抗蚀剂层上进行干式显像工序，以形成第2抗蚀剂层图案；将第1及第2抗蚀剂层图案作为掩膜，对上述导电膜进行蚀刻，形成位线。
[CS8145-0215-0005] 半导体器件中的布线结构
[摘要] 一种半导体器件中的布线结构，包括具有第一布线宽度(W1)的第一布线(11)，和形成在形成第一布线的层的同一层中、并且具有大于第一布线宽度(W1)的第二布线宽度(W2)的第二布线(12)的布线结构。第二布线(12)电连接到第一布线(11)。第一和第二布线(11，12)都是由铜或主要含铜的合金构成的。第一和第二布线(11，12)具有彼此相同的厚度。第二布线(12)的面积与第一布线(11)的面积的比率是N∶1，其中N等于或大于2,000和等于或小于200,000,000(2,000≤N≤200,000,000)。
[CS8145-0119-0006] 集成电路制造的推拉双向式派工方法
[摘要] 本发明涉及一种集成电路制造的推拉双向式派工方法，用于决定芯片批次在每一工作站的排货次序。先定义芯片批次的优先次序，接着进行集成电路制造的推拉双向式派工方法，执行数个推货(Push)步骤与拉货(Pull)步骤。其中，推货步骤是不管下游的制作过程阶段或工作站的拥挤或延迟状况，直接由上游来安排推货、另外，拉货步骤是考虑下游的制作过程阶段或工作站的缺货需求，再由制作过程上游来安排推货。接着，再依原先芯片批次的优先次序高低来进行派工即可。利用此集成电路制造的推拉双向式派工方法，具有提高机台设备利用性的优点。
[CS8145-0143-0007] 具有高触发电流的静电放电防护电路
[摘要] 一种具有高触发电流的静电放电防护电路。包含有一半导体控制整流器(SCR)，一带MOS结构的双极性极性晶体管。该SCR包含有一阳极、一阳栅极、一阴栅极以及一阴极。该阳极耦接至一第一接合焊垫。该阴栅极与该阴极耦接至一第二接合焊垫。该双极性接面晶体管具有一集电极以及一发射极。该集电极与该发射极其中之一仅仅耦接至该阳栅极；该集电极与该发射极其中之另一耦接至该第二接合焊垫。该ESD防护电路需要较大的触发电流才能使该SCR产生栓锁现象。如此，可以避免在正常操作时，噪声意外引起栓锁现象的事件发生。
[CS8145-0059-0008] 一种静电放电保护电路
[摘要] 一种静电放电保护电路，适用于集成电路中。其包含有主要放电组件以及ESD检测电路。该ESD检测电路包含有一串联电容与第一电阻、以及第二电阻。该电容与该第一电阻耦接至该主要放电组件的一控制端与该IC的第一接合焊垫之间。该第二电阻耦接于该控制端与该IC的第二接合焊垫之间。在正常操作时，该主要放电组件为关闭状态。而在ESD发生时，该电容的两端形同短路。通过该第一电阻以及该第二电阻的分压作用，该ESD检测电路可以提供一适合的电压给该控制端。使得该主要放电组件在最佳状态下释放ESD电流。
[CS8145-0146-0009] 滤波器芯片和滤波器设备
[摘要] 一种滤波器芯片包括：多个串联分路谐振器，配置在梯形配置的串联分路上；以及多个并联分路谐振器，配置在梯形配置的并联分路上。公用线连接到多个并联分路谐振器中至少两个并联分路谐振器的第一电极。所述至少两个并联分路谐振器的第二电极连接到多个串联分路谐振器中的相关串联分路谐振器。
[CS8145-0168-0010] 发光二极管的结构及其制造方法
[摘要] 本发明提供一种发光二极管的结构及其制造方法，该发光二极管具有镜面反射层，其镜面反射层为由一透明导体氧化层和一高反射金属层所构成的复合反射层，透明导电型氧化层可允许绝大多数的光通过然后再被反射金属层反射回来。透明导电型氧化层可以选取和高反射金属层不会反应或几乎不反应的材料，这样即使是在高温环境下，也可避免在进行欧姆接触退火步骤时反射金属层和III-V族化合物半导体的反应所导致反光性退化的问题。因此，具有上述的镜面反射层的发光二极管可以使得产品具有高良率，进而降低制造成本。
[CS8145-0214-0011] 内存储存节点及其制造方法
[CS8145-0171-0012] 晶圆辨识标号的制作方法
[CS8145-0083-0013] 采用电泳技术制备大面积高温超导钡钇铜氧厚膜的方法
[CS8145-0121-0014] 浅槽隔离的方法
[CS8145-0123-0015] 在半导体装置中形成金属互连层的方法
[CS8145-0023-0016] 一种改善化学机械抛光不均匀度的方法
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