电路元件类技术

本发明的热处理装置包括：将被处理体被运入和运出的反应容器；用于将处理气体导入所述反应容器内的处理气体导入部；与所述处理气体导入部分别设置，用于将置换气体导入所述反应容器内的置换气体导入部；以及用于排出所述反应容器内的气体的排气部。控制部连接到所述处理气体导入部、所述置换气体导入部和所述排气部。控制部控制所述排气部，使所述反应容器内的压力比热处理时低，接着控制所述处理气体导入部和所述置换气体导入部，停止所述处理气体的导入，将置换气体导入所述反应容器内，同时控制所述排气部，使所述反应容器内的压力比热处理时高，接着控制所述排气部，使所述反应容器内的压力比热处理时低。
  [CS8136-0042-0004] 局部存在有单晶氮化镓的基底及其制备方法 
[摘要] 本发明提供适用于制造电子-光学联合器件的单晶氮化镓局域化基底，所述联合器件中电子器件和光学器件混合装在同一硅基底上。在硅基底100上局部存在有单晶氮化镓410生长的区域，其形成是在硅基底100上形成碳化硅200，再在此碳化硅200上局部生成单晶氮化镓410。在生成所述单晶氮化镓410过程中氮化硅220用作掩模。
  [CS8136-0195-0005] 半导体集成电路装置及其半导体集成电路芯片 
[摘要] 提供一种半导体集成电路装置及其半导体集成电路芯片，可以不降低允许温度地实现整个冷却结构的小型轻量化。在板状的半导体芯片(101)的一侧面上形成形成有多个电路的电路形成层(2)，并把热传送层(15)与和形成了电路形成层的面相反的侧面接合成一体，该热传送层(15)由与半导体芯片相同的材料形成，且在其内部形成了成为闭合流路的流路管(3)。在该闭合流路内封入水等的工作流体(4)，以与工作流体相接触的方式设置了作为工作流体驱动单元的电阻膜(5)，利用电阻膜(5)对工作流体脉冲状加热使其汽化(崩沸)，而对工作流体提供振动，因此传送及扩散在电路形成层(2)内产生的局部温升。
  [CS8136-0006-0006] 热处理装置 
[摘要] 利用将对处理炉(2)进行排气的排气系统(15)内的排气压力作为与大气压的差压而进行检测的差压计(23)、和作为绝对压力检测大气压的气压计(31)，将排气压力作为绝对压力而检测。根据检测的绝对排气压力，调节压力可变阀(25)的开度，由此来调整处理炉(2)内的压力。
  [CS8136-0052-0007] 高频肖特基二极管的电化学制作方法 
[摘要] 本发明涉及一种高频肖特基二极管的电化学制作方法，包括如下步骤：1)用电化学工艺在半导体表面上形成阳极氧化多孔绝缘薄膜；2)把阳极氧化多孔绝缘薄膜作为形成肖特基二极管的掩膜；3)用电化学阳极氧化腐蚀和镀金工艺首先腐蚀掉半导体表面层，然后通过镀金法在多孔氧化薄膜的孔中淀积金属，形成金属/化合物半导体肖特基接触界面和肖特基二极管。
  [CS8136-0120-0008] 多临界电压CMOS制造最佳化的方法 
[摘要] 本发明公开了一种多临界电压CMOS制造最佳化的方法，包括下列步骤：提供一半导体基体，具有多个不同临界电压元件；建立多个时间模型，用以计算时间；利用时间计算，得到一静态时间分析结果；定义一设定时间安全区域的最大值(T1)及一最小值(Ts)；当上述元件的设定时间小于上述设定时间安全区域的最小值(Ts)，则将上述元件改变为低临界电压元件；当上述元件的设定时间大于上述设定时间安全区域的最大值(T1)，则将上述元件改变为高临界电压元件；确认上述元件的设定时间值；改变设定时间不符合提高的静态时间分析结果的元件；针对正常临界电压元件，执行第一袋状植入；针对低临界电压元件，执行第二袋状植入；针对高临界电压元件，执行第三袋状植入。
  [CS8136-0016-0009] 半导体装置组装用屏蔽片及半导体装置组装方法 
[摘要] 提供一种屏蔽片，该屏蔽片在半导体装置组装时可以抑制树脂封装剂的溢出、残留粘结剂的糊剂，可以稳定地生产QFN等的半导体插件。该屏蔽片可剥离地粘结在引线架上，并通过在玻璃化转变温度为150℃以上、150～200℃的线膨胀系数为10～50ppm/℃的耐热薄膜上，设置由硅氧烷系粘结剂构成的粘结剂层而形成，其在180℃下加热1小时的重量减少率是5％以下。作为硅氧烷系粘结剂优选的是以聚二甲基硅氧烷为主要成份的、和以聚烷基链烯基硅氧烷和聚烷基氢硅氧烷为主要成份的。在将屏蔽片使用在半导体装置的组装上时，首先将屏蔽片压接在引线架上，形成半导体装置后再剥离屏蔽片。
  [CS8136-0135-0010] 半导体器件及其制造方法 
[摘要] 提供一种防止字线与半导体衬底之间电短路，具备电可靠性高的非易失性存储电路的半导体器件及其制造方法。在具备非易失性存储电路的半导体器件中，包括：有第1槽30和埋设其内部的隔离用充填材料31的元件隔离区3；在栅宽度方向相邻存储单元M的浮动电极5间，与表面部分比较深的部分的槽宽小的第2槽20；以及在第2槽20内部埋设一部分的字线7WL。
  [CS8136-0201-0011] 具有噪声消除系统的芯片及其制造方法
  [CS8136-0158-0012] 基板处理装置以及清洗方法
  [CS8136-0170-0013] 去除深沟渠剑山的方法
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  [CS8136-0024-0015] 压电元件、喷墨头、角速度传感器及其制法、喷墨式记录装置
  [CS8136-0156-0016] 能够映射晶片的晶片加工设备

  [CS8136-0070-0017] 氮化硅只读存储器及其制造方法
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  [CS8136-0202-0019] 集成电路输入的静电放电保护元件
  [CS8136-0152-0020] 微制造金钢石元件以及制造微制造金钢石元件的方法
  [CS8136-0023-0021] 半导体发光元件
  [CS8136-0198-0022] 包括由镶嵌工艺形成内连线的半导体器件及其制造方法
  [CS8136-0160-0023] 一种缩小元件临界尺寸的方法
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  [CS8136-0145-0029] 具有独立制作的垂直掺杂分布的栅极结构
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  [CS8136-0129-0032] 树脂密封型半导体器件及用于生产这种半导体器件的生产工艺
  [CS8136-0034-0033] 制造包括硅和低温共烧陶瓷的电子学器件的方法和用该方法产生的器件
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  [CS8136-0054-0038] 形成多晶硅层的方法以及制造多晶硅薄膜晶体管的方法
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