封装测试类技术

为了在半导体底材上制作一快闪存储单元，将一沟道掺杂物植入该半导体底材。来自该植入制程的该半导体底材的沟道掺杂物浓度小于约4×10¹³/cm²。在该底材上形成一源极线掩模，且该源极线掩模具有一开口以暴露出该半导体底材上的源极线。以具有第一导电性质的源极线掺杂物植入该半导体底材上所暴露的源极线。然后自该半导体底材上移除该源极线掩模。在该半导体底材上形成一漏极掩模，且该漏极掩模具有一开口以暴露出该半导体底材上的漏极区域。以具有第二导电性质的漏极掺杂物植入该半导体底材上所暴露的漏极区域。在该源极线与该漏极区域间布置该半导体底材之一沟道区域。该第一导电性质与该第二导电性质相反。此外，该沟道掺杂物的导电性质与该源极线掺杂物的第一导电性质相同。使用自该源极线扩散至该沟道区域的该源极线掺杂物，以变更该快闪存储单元的阈值电压亦或降低该快闪存储单元的短沟道效应，使得所植入的沟道掺杂物具有较低的浓度，或甚至可剔除该沟道掺杂物的植入，以提升该快闪存储单元的可靠度与执行速度。
  [CS8129-0021-0004] 标记位置检测装置和标记位置检测方法 
[摘要] 本发明的课题是，不限于被检测标记在装置的视野区域内的定位地点，能够相对于基板上的原点高再现性地检测出被检测标记的位置，具有：照明对象基板的照明装置(13～19)；摄像装置(19～24)，根据来自对象基板的反射光进行摄像，输出图像信号；测定装置25，当使用反射特性已知的标准基板作为对象基板时，根据从上述摄像装置获得的第一图像信号测定所述装置的固定图形噪声；存储装置26，存储上述固定图形的噪声；计算装置，在使用形成有被检测标记的被检测基板11作为上述对象基板时，根据从上述摄像装置获得的第二图像信号和上述存储装置中存储的上述固定图形噪声，计算上述被检测标记的位置。
  [CS8129-0090-0005] 半导体器件及其测试方法 
[摘要] 本发明公开了一种半导体器件及其测试方法。具体地说，是一种多总线半导体器件以及其探针测试方法，该方法能够对半导体器件的各个焊盘进行DC测试同时基于输入/输出焊盘数量压缩测试方案能够处理足够数量的器件以便同时进行测量。该半导体器件包括连接在输入/输出焊盘P0-P4和测试线L0之间的开关元件SW0-SW4，从而在不与测试机探针Pr0接触的探针外焊盘P1-P4中选择任意组合的焊盘以相应于导通的开关元件的组合进行测试。使被测试焊盘的输入/输出缓冲器停用以断开它们的内部电路通道。导通相应的开关元件以使被测试探针外焊盘连接到和测试机探针Pr0接触的探针焊盘P0，用测试机TS测量这些探针的漏泄电流。
  [CS8129-0216-0006] 具有高击穿电压的立式元件 
[摘要] 本发明涉及一种具有四层结构的立式元件，它包括一个第一导电类型的、轻微掺杂的厚区域(1)，它为该元件提供电压强度，外面围绕着第二导电类型的外围壁(2)，从元件的一个表面垂直延伸至另一个表面，一个第二导电类型的、强烈掺杂的一层(3)，延伸覆盖该元件的整个后部表面。在第一导电类型的、轻微掺杂的厚区域和第二导电类型的、强烈掺杂的一层之间，第二导电类型的、轻微掺杂的一层(21)，延伸覆盖着整个元件表面。
  [CS8129-0212-0007] 包括具有嵌入式电容器的内插器的电子装置及其制作方法 
[摘要] 为了减小开关噪音，将集成电路的电源端子连接到至少一个电容器的各个端子，该电容器嵌在位于晶片和衬底之间的内插器中。在一个实施例中，该内插器为多层陶瓷结构，它将晶片上的电源和信号导体耦合到衬底上的对应导体。至少形成一个高介电常数层的电容器，并且在一个实施例中，该电容器包括若干被插入导电层的高介电常数层。或者，该电容器可以包括至少一个嵌入式分立电容器。还描述了电子系统、数据处理系统以及各种制作方法。
  [CS8129-0062-0008] 半导体器件及其制造方法 
[摘要] 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，其目的在于：在硅衬底上形成高介电栅极绝缘膜的时候，既能抑制该栅极绝缘膜中缺氧，又能防止硅衬底氧化。在硅衬底101上沉积锆金属膜105以后，再在锆金属膜105上沉积氧化铪膜106，最后在氧化铪膜106上形成将成为栅电极的氮化钛膜109。
  [CS8129-0020-0009] 树脂接合用焊台及焊头 
[摘要] 本发明提供一种焊台和焊头，在将半导体元件封装在基板上时，对于在半导体元件及基板上高密度配置电极的设计，可进行高精度的连接。与半导体元件接触的焊台上面由高导热率物质构成，焊台表面的内部温度分布均匀。另外，由于焊台表面采用对环氧树脂等材料浸湿性低的材料，所以使用过程中树脂材料不易粘附，即使粘附了也易清除。
  [CS8129-0046-0010] 半导体集成电路 
[摘要] 本发明的课题是，提供具有能够保证晶片加工后已完成的门图形(门形状)有均匀的值的基本集合元件的半导体集成电路。在半导体衬底(未图示)上形成p型有源区1和n型有源区2。然后，在该p型有源区1和n型有源区2上形成3条门布线3、4、5，在p型有源区1上，在与n型有源区2相向侧的相反一侧(图中的p型有源区1的上侧)形成用于设置接触孔6、7的突出部。在该突出部所形成的接触孔6在门布线3与门布线4之间形成。另外，在突出部所形成的接触孔7在门布线4与门布线5之间形成。
  [CS8129-0010-0011] 堆叠膜图案的形成方法
  [CS8129-0116-0012] 半导体器件、半导体封装以及用于测试半导体器件的方法
  [CS8129-0142-0013] 具有欧姆接触的半导体装置及其制造方法
  [CS8129-0054-0014] 半导体存储器件
  [CS8129-0045-0015] 一种集成电路装置及制造集成电路装置的方法
  [CS8129-0185-0016] 覆晶封装集成电路的静电放电保护机制及具有静电放电保护机制的晶片

  [CS8129-0137-0017] 含光探测器和旁路装置的图像传感器及其制法
  [CS8129-0005-0018] 在硅基片上制造Si1-xGex
  [CS8129-0182-0019] 金属垫与接合垫区的结构
  [CS8129-0157-0020] 用于清洁探针板接点的设备与方法
  [CS8129-0215-0021] 半导体器件及其制作方法
  [CS8129-0043-0022] 集成电路存储设备
  [CS8129-0187-0023] 具有向下延伸支脚的芯片承载件的多芯片半导体封装件
  [CS8129-0183-0024] 双极性输入垫的静电放电保护装置及方法
  [CS8129-0130-0025] 具有数据总线系统以降低高频噪声的半导体存储器
  [CS8129-0131-0026] 非易失性半导体存储器
  [CS8129-0031-0027] 一种纳米级蓝宝石衬底的加工方法及其专用抛光液
  [CS8129-0068-0028] 含有绿色有机发光二极管的装置
  [CS8129-0117-0029] 半导体器件及其制造方法
  [CS8129-0033-0030] 半导体器件和制造半导体器件的方法
  [CS8129-0112-0031] 电极的恢复处理方法
  [CS8129-0028-0032] 集成电路阵列结构的制造方法
  [CS8129-0127-0033] 存储器件及其驱动方法
  [CS8129-0201-0034] 具有颈状信道的场效晶体管及其制造方法
  [CS8129-0038-0035] 具有铜熔丝的半导体结构及其形成方法
  [CS8129-0202-0036] 一种制作氮化镓发光二极管芯片N电极的方法

  [CS8129-0191-0037] 碳纳米管逻辑“或”门器件及其制备方法
  [CS8129-0164-0038] 在衬底上制备空气桥的方法
  [CS8129-0042-0039] 用于保护外部程序代码的控制系统
  [CS8129-0027-0040] 用于宽编程的双金属/多晶硅氧化物氮化物氧化物硅存储器单元
  [CS8129-0121-0041] 碳纳米管半加器及其制备工艺
  [CS8129-0059-0042] 半导体器件
  [CS8129-0099-0043] 在硅基板中插塞通孔的方法
  [CS8129-0123-0044] 一种可具有极性的集成电容
  [CS8129-0106-0045] 半导体器件中电容器的形成方法
  [CS8129-0155-0046] 防止焊垫氟化的晶片储存方法及晶片储存运送装置
  [CS8129-0009-0047] 减少蚀刻制作工艺期间微粒产生的方法
  [CS8129-0015-0048] 给出具有高沟道密度的半导体器件的低成本方法
  [CS8129-0008-0049] 机加工硅片的方法
  [CS8129-0018-0050] 半导体器件及其制造方法
  [CS8129-0063-0051] 半导体器件及其制造方法
  [CS8129-0154-0052] 开窗型导线架式半导体封装结构及制造过程
  [CS8129-0079-0053] 制造具有氧化硅/氮化硅/氧化硅层的半导体组件的方法
  [CS8129-0196-0054] 非易失性存储单元及其制造方法
  [CS8129-0052-0055] 存储器的存储装置
  [CS8129-0179-0056] 防止管脚短路的导线架及具有该导线架的半导体封装件的制法

  [CS8129-0207-0057] 一种新型稀土超磁致伸缩材料及制备方法
  [CS8129-0076-0058] 用于切割玻璃基板的粘着片及切割玻璃基板的方法
  [CS8129-0119-0059] 半导体集成电路
  [CS8129-0080-0060] 在低温下氧化硅片的方法和用于该方法的装置
  [CS8129-0205-0061] 发光二极管的封装成型方法及成品结构
  [CS8129-0184-0062] 静电放电保护装置
  [CS8129-0186-0063] 一种半导体封装件及其制法
  [CS8129-0176-0064] 芯片座具凹部的半导体封装件
  [CS8129-0200-0065] 双载子晶体管及其制造方法
  [CS8129-0138-0066] 具有可变参数的功率半导体
  [CS8129-0107-0067] 改良型掩膜式只读存储器工艺与元件
  [CS8129-0150-0068] 具有伸张应变的信道层的场效晶体管结构及其制造方法
  [CS8129-0067-0069] 一种颗粒硅带的制备方法及其专用设备
  [CS8129-0171-0070] 罩幕式只读存储器的制造方法
  [CS8129-0110-0071] 半导体器件及其制造方法
  [CS8129-0175-0072] 半导体芯片承载件,半导体封装件及半导体封装方法
  [CS8129-0195-0073] 埋入式位线的结构及其制造方法
  [CS8129-0210-0074] 用于倒装式结合在有焊料凸块晶片上预底填料的溶剂辅助抛光
  [CS8129-0167-0075] 利用微晶硅膜作为浮置闸以促进快闪式存储器性能的方法
  [CS8129-0061-0076] 具有硅氧化膜的半导体装置

  [CS8129-0173-0077] 用以缩短打线长度的半导体封装件
  [CS8129-0101-0078] 半导体器件的制造方法和半导体器件
  [CS8129-0040-0079] 保护电路
  [CS8129-0024-0080] 在金属间介电层构成图形的方法
  [CS8129-0189-0081] 碳纳米管式集成场效应管及其制备工艺
  [CS8129-0065-0082] 太阳电池模块的再生方法及太阳电池模块
  [CS8129-0022-0083] 浅沟渠隔离区的制造方法
  [CS8129-0197-0084] 具有电容器的半导体器件
  [CS8129-0044-0085] 光互联集成电路、光互联集成电路的制造方法、光电装置以及电子仪器
  [CS8129-0085-0086] 监控离子植入于半导体基材的方法与系统
  [CS8129-0012-0087] 半导体器件的制造方法
  [CS8129-0129-0088] 半导体存储器
  [CS8129-0082-0089] 激光退火装置和激光薄膜形成装置
  [CS8129-0025-0090] 电子器件及其制造方法
  [CS8129-0134-0091] 提高抗软错误性的半导体存储器
  [CS8129-0013-0092] 半导体装置的制造方法
  [CS8129-0071-0093] 应用于罩幕式只读存储器编码布植的微影工艺
  CS8129-0122-0094] 半导体集成电路、信号传输装置、光电装置和电子仪器
  [CS8129-0053-0095] 存储装置
  [CS8129-0118-0096] 具有多层铜线路层的半导体器件及其制造方法

  [CS8129-0069-0097] 半导体制造装置用的控制器模块
  [CS8129-0094-0098] 制作具有埋藏导线的半导体元件的方法
  [CS8129-0198-0099] 可抹除可编程只读存储器的结构
  [CS8129-0147-0100] 共晶焊背面金属化工艺
  [CS8129-0140-0101] 一种感光二极管的光感测区的制作方法及其结构
  [CS8129-0109-0102] 一种多晶粒封装结构
  [CS8129-0188-0103] 多芯片半导体封装件及其制法
  [CS8129-0169-0104] Y方向自对准的罩幕式只读存储器的制造方法
  [CS8129-0057-0105] 可消除像素噪声的对数极式互补式金氧半导体影像传感器
  [CS8129-0145-0106] 可重复使用的晶圆控片及其形成方法
  [CS8129-0035-0107] 形成熔通借孔结构的方法
  [CS8129-0075-0108] 半导体衬底的制造方法和半导体器件的制造方法
  [CS8129-0058-0109] 电流放大的对数极式互补金氧半导体影像传感器
  [CS8129-0102-0110] 电容器的制造方法
  [CS8129-0114-0111] 电子设备
  [CS8129-0172-0112] 四方形平面无管脚式半导体封装结构及制造方法
  [CS8129-0051-0113] 半导体装置及其制造方法
  [CS8129-0064-0114] 薄膜晶体管及薄膜晶体管的制造方法
  [CS8129-0096-0115] 多孔电介质中嵌刻铜结构的制成方法
  [CS8129-0139-0116] 薄膜半导体器件及其制造方法和图像显示装置

  [CS8129-0113-0117] 导热片材及其制造方法
  [CS8129-0034-0118] 散热增益型导线架
  [CS8129-0098-0119] 制造具有多层布线的半导体器件的方法
  [CS8129-0177-0120] 铝铜接合散热片及其制造方法
  [CS8129-0048-0121] 半导体集成电路装置
  [CS8129-0128-0122] 存储结构和制造该存储结构的方法
  [CS8129-0100-0123] 布线结构的形成方法
  [CS8129-0066-0124] 光电转换元件
  [CS8129-0192-0125] 利用碳纳米管制作的逻辑“非”门器件
  [CS8129-0006-0126] 接触孔的形成方法
  [CS8129-0141-0127] 发光二极管装置的透光层及其制作方法
  [CS8129-0132-0128] 半导体存储器
  [CS8129-0152-0129] 金氧半导体晶体管的制造方法
  [CS8129-0087-0130] 电容值测定方法
  [CS8129-0056-0131] 嵌入式电力可编程只读存储器
  [CS8129-0089-0132] 确定背栅特性的方法和装置
  [CS8129-0217-0133] 在透明或半透明衬底上形成的半导体发光元件
  [CS8129-0049-0134] 容量元件及其制造方法
  [CS8129-0041-0135] 功率半导体装置
  [CS8129-0120-0136] 半导体器件及其制造方法

  [CS8129-0149-0137] 用于研磨机台的晶圆压力调整系统
  [CS8129-0159-0138] 直接计算金氧半场效晶体管界面缺陷量的方法
  [CS8129-0124-0139] 半导体集成电路器件
  [CS8129-0003-0140] 交错相移掩模的制造方法
  [CS8129-0078-0141] 在图案化材料上形成高分子层的方法
  [CS8129-0036-0142] 半导体器件
  [CS8129-0194-0143] 具有单壁碳纳米管结构的“与”门逻辑器件及其制作方法
  [CS8129-0115-0144] 适应集成电路小形化趋势的导线架
  [CS8129-0135-0145] 不连续的氮化物只读存储器存储单元的结构
  [CS8129-0213-0146] 半导体元件及其制造方法
  [CS8129-0133-0147] 具有氧化阻挡层的电容器及其制造方法
  [CS8129-0153-0148] 半导体封装方法
  [CS8129-0206-0149] 宽温度范围稀土超磁致伸缩材料
  [CS8129-0023-0150] 用于集成电路上的芯片间晶片级信号传输方法
  [CS8129-0108-0151] 半导体器件
  [CS8129-0170-0152] 罩幕式只读存储器的制造方法
  [CS8129-0111-0153] 多层电路板、多层电路板的制造工艺、用于多层电路的板以及电子装置
  [CS8129-0070-0154] 形成开口图案的方法及其应用
  [CS8129-0174-0155] 芯片座具开孔的半导体封装件及其制造方法
  [CS8129-0072-0156] 曝光条件确定系统

  [CS8129-0060-0157] 半导体器件及其制备方法
  [CS8129-0178-0158] 可控制溃缩量的导线架及具备该导线架的覆晶型半导体封装件
  [CS8129-0093-0159] 半导体器件及其制造方法
  [CS8129-0165-0160] 形成铜金属线的方法
  [CS8129-0104-0161] 半导体器件及其制造方法
  [CS8129-0143-0162] 半导体晶片、半导体装置及其制造方法
  [CS8129-0016-0163] 带子组合物以及低温共烧制陶瓷的抑制烧结方法
  [CS8129-0144-0164] 一种利用金属阴极溅射的有机发光器件结构
  [CS8129-0181-0165] 球栅阵列半导体封装件
  [CS8129-0050-0166] 半导体集成电路及其制造方法
  [CS8129-0146-0167] 缩小制程的解析周期的方法
  [CS8129-0105-0168] 半导体装置及其制造方法
  [CS8129-0001-0169] 制造薄膜半导体器件的方法及其形成抗蚀图的方法
  [CS8129-0086-0170] 接触子块及电气连接装置
  [CS8129-0203-0171] 子母型发光二极管的封装结构及方法
  [CS8129-0161-0172] 一种整合高压元件制程及混合信号元件制程的方法
  [CS8129-0151-0173] 改善临近效应的源漏结构制作方法
  [CS8129-0204-0174] 防止主动式有机发光二极管器件的阴极产生断裂的方法
  [CS8129-0047-0175] 半导体装置
  [CS8129-0103-0176] 半导体器件的电容器的制造方法

  [CS8129-0218-0177] 晶体管和包括晶体管的显示器
  [CS8129-0160-0178] 一种高速信元传输的实现方法
  [CS8129-0199-0179] 分离栅极式快闪存储器及其制造方法
  [CS8129-0074-0180] 图形形成方法
  [CS8129-0037-0181] 用于多电源的标准单元及其相关技术
  [CS8129-0180-0182] 以导线架为芯片承载件的覆晶式半导体封装件
  [CS8129-0190-0183] 碳纳米管“或否”逻辑器件
  [CS8129-0092-0184] 含绝缘体的半导体装置及其制造方法
  [CS8129-0211-0185] 包含具有埋置电容器的衬底的电子组装件及其制造方法
  [CS8129-0004-0186] 形成细微图案的方法
  [CS8129-0029-0187] 制造半导体装置的方法
  [CS8129-0002-0188] 用于图案细微化的涂膜形成剂和使用该形成剂形成细微图案的方法
  [CS8129-0125-0189] 可在室温下工作的单电子存储器及制备方法
  [CS8129-0162-0190] 无阻障层且具有多层种子层的内连线工艺与结构
  [CS8129-0158-0191] 预烧测试静态随机存取存储器的方法及装置
  [CS8129-0148-0192] 金属电浆蚀刻后的晶圆清洗方法
  [CS8129-0209-0193] 倒装片衬底设计
  [CS8129-0073-0194] 处理溶液施用方法
  [CS8129-0084-0195] 介层窗偏移侦测装置
  [CS8129-0095-0196] 制作热熔丝的方法

  [CS8129-0030-0197] 绝缘衬底上制备高质量半导体晶体薄膜的方法
  [CS8129-0083-0198] 具有多个凸块的基片、凸块形成方法及将基片彼此结合的方法
  [CS8129-0081-0199] 低温下使硅晶片氧化的方法及其使用的设备
  [CS8129-0156-0200] 封装栅格阵列元件的改进工艺
  [CS8129-0168-0201] 多位存储单元及其制造方法
  [CS8129-0193-0202] 利用碳纳米管制作的随机存储器及制备方法
  [CS8129-0026-0203] 制造半导体器件接触插塞的方法
  [CS8129-0126-0204] 具有高集成度的单电子存储器及其制备方法
  [CS8129-0014-0205] 半导体器件内形成高压结的方法
  [CS8129-0214-0206] 发光二极管模块
  [CS8129-0088-0207] 具有降低封装测试时间的半导体存储装置
  [CS8129-0032-0208] 用于装配电子零件的薄膜承载带
  [CS8129-0039-0209] 半导体器件及其制造方法
  [CS8129-0097-0210] 防止化学机械抛光中的凹陷和侵蚀的半导体器件制造方法
  [CS8129-0019-0211] 半导体装置的制造方法
  [CS8129-0055-0212] 半导体存储器件以及半导体器件
  [CS8129-0136-0213] 半导体装置及其制造方法
  [CS8129-0091-0214] 检测晶片阶段缺陷的方法
  [CS8129-0017-0215] 制作半导体器件和其中所用耐热压敏粘结带的方法
  [CS8129-0077-0216] 微半导体元件的制造方法

  [CS8129-0007-0217] 半导体器件的抬升源极/漏极的制造方法
  [CS8129-0163-0218] 修正凸块轮廓的方法
  [CS8129-0219-0219] 平面双端开关