保护元件类技术

制造本发明的太阳能电池组件以改进太阳能电池元件电极和涂覆由无铅(Pb)焊料的连接接头之间的粘结性，该电极用含有银浆料的热固性树脂形成。为了实现这个目的，太阳能电池组件由前表面部件，后表面保护部件，设置在前表面部件和后表面保护部件之间的多个太阳能电池元件，和用于用无铅焊料通过电极将太阳能电池元件彼此电连接的连接接头组成。太阳能电池元件的电极由包含热固性树脂和银粉末的银浆料构成。热固性树脂含有体积比70％或更多由TMA(热力学分析)方法测得玻璃化转变温度在80℃-200℃的环氧树脂。涂覆有无铅焊料的连接接头焊接到电极上。
  [CS8106-0216-0004] 聚合物OLED制造方法 
[摘要] 一种用于制造OLED的方法，其中在将多个活性层施加到一个衬底上从而形成OLED后，将这些活性层用至少一个密封件封装起来，其特正在于，在施加该密封件之前，将OLED加热一段时间，结果活性层中的挥发性物质从OLED中蒸发，随后施加相应的密封。可选的，在施加密封件之前，对OLED独立地加热，该密封件可由至少一个UV固化阻隔层形成，其通过以下技术中的一种施加：印刷，例如喷墨印刷、丝网印刷、刷镀电极印刷、橡皮版印刷等，或者机械涂覆技术，例如喷涂、幕帘涂布、旋涂等。
  [CS8106-0010-0005] 作为改善有机半导体中电荷载子移动性添加剂之硅粒子 
[摘要] 本发明乃与一种具有以有机半导体材料作为一半导体路径之半导体装置有关。半导体粒子或半导体团簇乃无规则地分布于该有机半导体材料中，该等半导体粒子及/或半导体团簇亦能够藉由链接分子而链接。添加半导体粒子至该有机半导体材料中可提升，举例而言，一包含有此类半导体路径的一场效晶体管的电性。
  [CS8106-0175-0006] 鳍型场效应晶体管结构 
[摘要] 提供了一种鳍型场效应晶体管(fin FET)，其应用了负字线方案。鳍型FET的栅电极应用了掺有n+杂质的电极，并且不执行用于控制阈值电压的沟道掺杂，或者以低浓度执行沟道掺杂，由此显著改善了鳍型FET的特性。半导体衬底以第一导电类型形成，第一导电类型的鳍型有源区从所述半导体衬底的上表面突出并连接到所述半导体衬底。绝缘层形成在所述半导体衬底上，并且栅极绝缘层形成在所述鳍型有源区的上部和侧壁。栅电极形成在所述绝缘层和所述栅极绝缘层上。源极和漏极形成在所述栅电极两侧的鳍型有源区中。
  [CS8106-0117-0007] 非易失半导体闪存及制造方法 
[摘要] 在半导体内存中，具有捕捉层(5)或浮动栅电极作为储存媒体的多重鳍式场效晶体管(FinFET)配置乃存在于一由半导体材料制成的鳍片(3)的顶侧，该栅电极(4)材料亦存在于该等鳍片之两侧壁，以形成侧壁晶体管；而在栅电极之间则形成了属于所对应鳍片的一字符线的部分。
  [CS8106-0014-0008] 切割半导体晶片保护膜的方法和装置 
[摘要] 本发明一种切割半导体晶片保护膜的方法，其中将具有周边部分的半导体晶片置于一平台上，以将一保护膜贴敷在所述半导体晶片的一个表面上，然后，用一个切割刃切割该保护膜使其与所述半导体晶片的周边部分形状相吻合，该方法包括如下步骤：将所述切割刃与所述半导体晶体的侧面成倾斜；以及使所述平台和所述切割刃之一旋转，以沿着所述周边部分切割所述保护膜，使得所述保护膜不会突出所述半导体晶片的边缘。本发明还提供一种切割半导体晶片保护膜的装置。
  [CS8106-0121-0009] 沟槽DMOS晶体管结构 
[摘要] 一种具有到位于上表面上的漏极触点的低电阻路径的沟槽DMOS晶体管结构及其制造方法。该晶体管结构包括：(1)第一导电型半导体材料的第一区域；(2)形成在第一区域内的栅极沟槽；(3)栅极沟槽内的栅极介电层；(4)与栅极介电材料层相邻的栅极沟槽内的栅电极；(5)形成在第一区域内的漏极进入沟槽；(6)位于漏极进入沟槽内的导电材料的漏极进入区；(7)第一区域内的第一导电型源区，源区位于第一区域的顶表面上或其相邻处且与栅极沟槽相邻；(8)第一区域内的位于源区下且与栅极沟槽相邻的体区，体区具有与第一导电型相反的第二导电型；以及(9)第一区域内的位于体区下面的半导体材料的第二区域。第二区域为第一导电型且具有比第一半导体区高的掺杂剂浓度。此外，第二区域从栅极沟槽延伸到漏极进入沟槽且与栅极沟槽和漏极进入沟槽自对准。
  [CS8106-0173-0010] 双极晶体管 
[摘要] 本发明的双极晶体管包括由n-型半导体制成的集电极层和在该集电极层上由n-型半导体制成的发射极层。在发射极层上提供用于注入p-型载流子(空穴)到发射极层的栅极层。在集电极层和发射极层之间形成p-型载流子保留层。p-型载流子保留层临时保留从栅极层注入到发射极层的p-型载流子和在发射极层中扩散并到达p-型载流子保留层。双极晶体管具有其性能不被基极层的表面电阻影响的结构，而且甚至在高频率区也能有高电流增益。
  [CS8106-0017-0011] 化学气相成长装置及膜成长方法
  [CS8106-0169-0012] 三维记忆体的平面解码方法与元件
  [CS8106-0026-0013] 半导体器件和制造方法以及电镀液
  [CS8106-0184-0014] 电流垂直于平面磁阻传感器及其制造方法
  [CS8106-0200-0015] 非自对准SiGe异质结双极晶体管
  [CS8106-0091-0016] 等离子体反应室用硅部件

  [CS8106-0161-0017] 半导体器件及其制造方法
  [CS8106-0150-0018] 半导体存储器件及其制造方法
  [CS8106-0126-0019] 半导体发光元件及其制造方法
  [CS8106-0203-0020] 半导体器件安装板、其制造方法、其检查方法及半导体封装
  [CS8106-0190-0021] 大型基材测试系统
  [CS8106-0067-0022] 具有薄膜晶体管的半导体器件的制造方法
  [CS8106-0157-0023] 热管及其制造方法
  [CS8106-0044-0024] 电子元件冷却装置
  [CS8106-0069-0025] 薄膜晶体管及其制造方法
  [CS8106-0065-0026] 薄膜晶体管、其制造方法和使用薄膜晶体管的平板显示器
  [CS8106-0113-0027] 具有嵌入在背面金刚石层中的元件的半导体器件
  [CS8106-0129-0028] 光生伏打电池的后处理方法
  [CS8106-0192-0029] 监控处理室中薄膜沉积的方法及设备
  [CS8106-0060-0030] N-型衬底上的图像传感器
  [CS8106-0071-0031] 无轴折叠自动展开式太阳能充电器
  [CS8106-0106-0032] 半导体器件封装系统
  [CS8106-0148-0033] 具有减小的衬底电容的半导体器件和方法
  [CS8106-0140-0034] 在氟化氧化物沉积工艺中减少半导体器件污染
  [CS8106-0045-0035] 半导体装置
  [CS8106-0110-0036] 体半导体的鳍状FET器件及其形成方法

  [CS8106-0193-0037] 半导体制造方法及其装置
  [CS8106-0054-0038] 陷入式只读非挥发性记忆体
  [CS8106-0138-0039] 使用双重阴极频率混合的等离子体控制
  [CS8106-0111-0040] 制造半导体非易失性存储器的方法
  [CS8106-0072-0041] 类白光的发光组件及其制造方法
  [CS8106-0217-0042] 含至少一个沉积有吸气材料的支撑件的用于电致发光有机屏的组件
  [CS8106-0034-0043] 批量晶片可靠性评价装置及批量晶片可靠性评价方法
  [CS8106-0036-0044] 内联机结构与其制造方法及集成电路组件
  [CS8106-0030-0045] 引线框架、半导体芯片封装、及该封装的制造方法
  [CS8106-0051-0046] 光感测芯片及半导体芯片堆叠封装结构
  [CS8106-0208-0047] 高压开关器件和形成该器件的工艺
  [CS8106-0178-0048] 发光二极管结构及其制作方法
  [CS8106-0209-0049] 半导体装置及采用其的显示装置
  [CS8106-0116-0050] 包括电容器和至少一个半导体构件的电子电路以及该电路的设计方法
  [CS8106-0170-0051] 电子电路、系统、非挥发性存储器及其操作方法
  [CS8106-0076-0052] 白光发光二极管
  [CS8106-0141-0053] 超级自对准的沟-栅双扩散金属氧化物半导体器件
  [CS8106-0155-0054] 散热装置和其制备方法
  [CS8106-0166-0055] 集成电路器件及其制造方法
  [CS8106-0131-0056] 基于硅锗/硅结构注氧隔离制备绝缘体上硅锗材料的方法

  [CS8106-0019-0057] 制造半导体器件的方法
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