铪靶材高纯铪99.999铪靶材厂家

北京环球金鑫国际科技有限公司专业从事光学镀膜材料、磁控溅射靶材、高纯材料、高纯粉末的研发生产和销售。产品广泛应用于军工，航空航天，新能源，LED，电子与半导体，平面显示行业，建筑与汽车玻璃行业，薄膜太阳能行业，磁存储行业，表面工程（装饰&工具）等领域。
    环球金鑫自主研发的真空溅射靶材、光学镀膜材料广泛应用于装饰镀膜、工具镀膜、光学镀膜及镀膜玻璃工业与平板显视行业。生产的溅射靶材成分设计合理、表面平整光滑，具有良好的导电性，溅射时工作电流稳定，高阻靶材的底板焊接牢固适用，采用该靶材制作的电阻器，具有阻值集中、稳定性好，有良好的耐热、耐磨和抗氧化性能，电阻温度系数小等特点。其靶材的制备都是根据其材料特性来加工的：分热压烧结工艺法和真空熔铸工艺法，产品均具有纯度高，微观组织优异及利用率高等特点，靶型有：平面矩形，管形，圆盘形，环形，片状，粉状等，规格和成分还可以根据用户的具体要求来定做。

铪，原子序数72，原子量178.49，元素名来源于哥本哈根城的拉丁文名称。1923年瑞典化学家赫维西和荷兰物理学家科斯特在挪威和格陵兰所产的锆石中发现铪元素，1925年他们用含氟络盐分级结晶的方法得到纯的铪盐，并用金属钠还原，得到纯的金属铪。铪在地壳中的含量为0.00045%，在自然界中常与锆伴生。有6种天然稳定同位素：铪174、176、177、178、179、180。

合成方法：

可由四氯化铪（HfCl4）与钠共热经还原而制得。从锆化合物中分离铪可用溶剂萃取法，然后用金属镁还原四氯化铪，可得金属铪，再用碘化物热分解法可得高纯金属。
在自然界中，铪常与锆共生，含锆的矿物中都含铪，铪与锆呈类质同像，铪主要赋存在锆英石中。工业上用的锆石中含HfO2量为0.5-2%。次生锆矿石中的铍锆石含HfO2可以高达15%。还有一种变质锆石曲晶石，含HfO2达5%以上。后两种矿物的储量少，工业上尚未采用。铪主要由生产锆的过程中回收。　铪的冶炼与锆基本相同，一般分五步。第一步为矿石的分解，有三种方法：①锆石氯化得(Zr,Hf)Cl4。②锆石的碱熔，锆石与NaOH在600℃左右熔融，有90%以上的(Zr,Hf)O2转变为Na2(Zr,Hf)O3，其中的SiO2变成Na2SiO3，用水溶除去。Na2(Zr,Hf)O3用HNO3溶解后可作锆铪分离的原液，但因含有SiO2胶体，给溶剂萃取分离造成困难。③用K2SiF6烧结，水浸后得K2(Zr,Hf)F6溶液。溶液可以通过分步结晶分离锆铪。第二步为锆铪分离，可用盐酸-MIBK（甲基异丁基酮）系统和HNO3-TBP(磷酸三丁酯)系统的溶剂萃取分离方法。利用高压下(高于20大气压)HfCl4和ZrCl4熔体蒸气压的差异而进行多级分馏的技术早有研究，可省去二次氯化过程，降低成本。但由于(Zr，Hf)Cl4和HCl的腐蚀问题，既不易找到合适的分馏柱材质，又会使ZrCl4和HfCl4质量降低，增加提纯费用。第三步为HfO2的二次氯化以制得还原用粗HfCl4。第四步为HfCl4的提纯和加镁还原。本过程与ZrCl4的提纯和还原相同，所得半成品为粗海绵铪。第五步为真空蒸馏粗海绵铪，以除去MgCl2和回收多余的金属镁，所得成品为海绵金属铪。如还原剂不用镁而用钠，则第五步改为水浸。　海绵铪自坩埚中取出时要格外小心，以免自燃。大块海绵铪要破碎成一定尺寸的小块，以便压成自耗电极，再熔铸成锭。破碎时也应防止自燃。海绵铪的进一步提纯与钛和锆一样，用碘化物热分解法。控制条件与锆略有不同，在碘化罐四周的海绵铪小块,保持温度为600℃，而中心的热丝温度为1600℃，比制取锆的“结晶棒”时的1300℃为高。铪的加工成型包括锻造、挤压、拉管等步骤，与加工锆的方法一样。

主要用途：

由于它容易发射电子而很有用处(如用作白炽灯的灯丝)。用作X射线管的阴极，铪和钨或钼的合金用作高压放电管的电极。常用作X射线的阴极和钨丝制造工业。纯铪具有可塑性、易加工、耐高温抗腐蚀，是原子能工业重要材料。铪的热中子捕获截面大，是较理想的中子吸收体，可作原子反应堆的控制棒和保护装置。铪粉可作火箭的推进器。在电器工业上可制造X射线管的阴极。铪的合金可作火箭喷嘴和滑翔式重返大气层的飞行器的前沿保护层，Hf-Ta合金可制造工具钢及电阻材料。在耐热合金中铪用作添加元素，例如钨、钼、钽的合金中有的添加铪。HfC由于硬度和熔点高，可作硬质合金添加剂。4TaCHfC的熔点约为4215℃，为已知的熔点最高的化合物。铪可作为很多充气系统的吸气剂。铪吸气剂可除去系统中存在的氧、氮等不需要气体。铪常作为液压油的一种添加剂，防止在高危作业时候液压油的挥发，具有很强的抗挥发性，这个特性的话，所以一般用于工业液压油。医学液压油。
铪元素也用于最新的intel45纳米处理器。由于二氧化硅（SiO2）具有易制性 (Manufacturability)，且能减少厚度以持续改善晶体管效能，因此过去40余年来，处理器厂商均采用二氧化硅做为制作闸极电介质的材料。当英特尔导入65纳米制造工艺时，虽已全力将二氧化硅闸极电介质厚度降低至1.2纳米，相当于5层原子，但由于晶体管缩至原子大小的尺寸时，耗电和散热亦会同时增加，产生电流浪费和不必要的热能，因此若继续采用目前材料，进一步减少厚度，闸极电介质的漏电情况势将会明显攀升，令缩小晶体管技术遭遇极限。为解决此关键问题，英特尔正规划改用较厚的High-K材料(铪元素为基础的物质）作为闸极电介质，取代沿用至今已超过40年的二氧化硅，此举也成功使漏电量降低10倍以上。另与上一代65纳米技术相较，英特尔的45纳米制程令晶体管密度提升近2倍，得以增加处理器的晶体管总数或缩小处理器体积，令产品较对手更具竞争力，此外，晶体管开关动作所需电力更低，耗电量减少近30%，内部连接线 (interconnects) 采用铜线搭配 Low-k电介质，顺利提升效能并降低耗电量，开关动作速度约加快 20%。

公司主要产品：

一 高纯单质金属（纯度：3N-6N）
规格：粉末/颗粒/锭/丝/圆片/方形靶材（长度小于1000mm.宽度小于320mm,厚度大于1mm）/圆柱形靶材（直径小于400mm,厚度大于1mm）
金靶Au，银靶Ag，铝靶Ag，硼靶B，铋靶Bi，碳靶C，铬靶Cr，铜靶Cu，钴靶Co，镉靶Cd，铈靶Ce，镝靶Dy，铒靶Er，铕靶Eu，铁靶Fe，钆靶Gd，锗靶Ge，铪靶Hf，铟靶In，铱靶Ir，镧靶La，镥靶Lu，镁靶Mg，钼靶Mo，锰靶Mn，铌靶Nb，镍靶Ni，铅靶Pb，钯靶Pd，铂靶Pt，铼靶Re，铑靶Rh，钌靶Ru，锑靶Sb，钪靶Sc，硒靶Se，硅靶Si，钐靶Sm，锡靶Sn，钽靶Ta，铽靶Tb，碲靶Te，钛靶Ti，钒靶V，钇靶Y，镱靶Yb，锌靶Zn，锆靶Zr。
二 高纯合金金属（纯度：3N-6N）
规格：颗粒/锭/丝/圆片/方形靶材（长度小于1000mm.宽度小于320mm,厚度大于1mm）/圆柱形靶材（直径小于400mm,厚度大于1mm）
铝镁合金Al-Mg，铝硅合金Al-Si，铝硅镁合金Al-Si-Mg，铝硅铜合金Al-Si-Cu，铝银合金Al-Ag，铝铜合金Al-Cu，铝铬合金Al-Cr，铝钕合金Al-Nd，铝钪合金Al-Sc，铝硅铜合金Al-Si-Cu，铝钛合金Al-Ti，铝钛硼合金Al-Ti-B，钽铝合金Ta-Al，钴铬合金Co-Cr，钴铁合金Co-Fe，钴镍合金Co-Ni，钴镍铬合金Co-Ni-Cr，钴铁硼合金Co-Fe-B，钐钴合金Sm-Co，铜镓合金Cu-Ga，铜铟合金Cu-In，铜铟镓合金Cu-In-Ga，铜铟镓硒合金Cu-In-Ga-Se，铜钴合金Cu-Co，铜钆合金Cu-Gd，铜锆合金Cu-Zr，铜锡合金Cu-Sn，铜镍合金Cu-Ni，铬硅合金Cr-Si，铬钒合金Cr-V，铁硼合金Fe-B，铁碳合金Fe-C，铁锰合金Fe-Mn，铁钴硼合金Fe-Co-B，硼铁合金B-Fe，铽铁合金Tb-Fe，铪铁合金Hf-Fe，铱锰合金Ir-Mn，铱铼合金Ir-Re，铟锡合金In-Sn，钼铌合金Mo-Nb，钼硅合金Mo-Si，钼铌合金Mo-Nb，镍铬合金Ni-Cr，镍钴合金Ni-Co，镍铜合金Ni-Cu，镍铬铝合金Ni-Cr-Al，镍铬铝硅合金Ni-Cr-Al-Si，镍铬硅合金Ni-Cr-Si，镍铁合金Ni-Fe，镍钒合金Ni-V，镍铝合金Ni-Al，镍铌钛合金Ni-Nb-Ti，镍锆合金Ni-Z，r钛铝合金Ti-Al，钛铬合金Ti-Cr，钛硅合金Ti-Si，钛镍合金Ti-Ni，钛锆合金Ti-Zr，钒铝合金V-Al，钒铝铁合金V-Al-Fe，钨铼合金W-Re，钨钛合金W-Ti，锆铝合金Zr-Al，锆铁合金Zr-Fe，锆镍合金Zr-Ni，锆铌合金Zr-Nb，锆钛合金Zr-Ti，锆钇合金Zr-Y，铌锆合金Nb-Zr，锌铝合金Zn-Al，锌镁合金Zn-Mg，铈钆合金Ce-Gd。
三 陶瓷溅射靶材、高纯材料、镀膜材料 （纯度：3N-6N）
规格：粉末/颗粒/锭/丝/圆片/方形靶材（长度小于1000mm.宽度小于320mm,厚度大于1mm）/圆柱形靶材（直径小于400mm,厚度大于1mm）
氧化锌（ZnO），氧化锌铝（AZO），IZO（In2O3+ZnO），IGZO（In2O3+Ga2O3+ZnO），GZO（Ga2O3+ZnO），ITO（In2O3+SnO2），氧化铌（NbOx），氧化铝（Al2O3），，氧化镁（MgO），氧化硅（SiO），氧化镍（NiO），氧化铬（Cr2O3），氧化钇（Y2O3），氧化镧（La2O3），氧化铈（CeO2），氧化铋（Bi2O3），氧化铁（Fe2O3），二氧化硅（SiO2），二氧化钛（TiO2），二氧化锡（SnO2），二氧化锆（ZrO2），二氧化铪（HfO2），二硼化镁（MgB2），二硼化锆（ZrB2），二硼化钛（TiB2）。硫化钨（WS2），硫化钼（MoS），硫化镉（CdS），硫化锌（ZnS），碳化硅（SiC），碳化硼（B4C），碳化钛（TiC），碳化钨（WC），氮化硅（SiN），氮化硼（BN），氮化铝（AlN），氮化钛（Ti3N4），硒化锌（ZnSe），硒化铟（In2Se3），硒化铜（Cu2Se），氟化镁（MgF?2），氟化钠（NaF），氟化镧（LaF3），钛酸镨（PrTiO3），钛酸锶（SrTiO3），钛酸钡（BaTiO3），锆钛酸铅（PbZrTiO3）。