高纯硅单晶

硅单晶的分类、定义、单晶晶向、氧含量、碳含量和晶体完整性
分类 产品按硅单晶的生产工艺方法分为直拉（CZ）、悬浮区熔（FZ）和中子嬗变掺杂（NTD）3种硅单晶，按导电类型分为n型和P型两种类型
定义 径向电阻率；晶片中心点与偏离中心的某一点或若干对称分布的设定点（典型设定点是晶片半径的1/2处或靠近晶片边缘处）的电阻率之间的差值。这种电阻率的差值可以表示为中心值得百分数。又称径向电阻率梯度。
杂质条纹：晶体生长时，在旋转的固液交界面处发生周期性的温度起伏，引起晶体内杂质分布的周期性变化，也使电子率局部变化。择优腐蚀后，再放大1500倍下观察，条纹是连续的。
重掺杂：半导体材料中掺入的杂质量较多，通长杂质浓度＞1018cm-3,为重掺杂
单晶晶向 硅单晶晶相为＜111＞或＜100＞晶向。直拉硅单晶晶向偏离≤2°。区熔硅单晶晶向偏离≤5°
氧含量 直拉硅单晶的间隙氧含量应＜1.8×1018atoms/cm3,具体指标按需方要求提供。
区熔硅单晶的间隙氧含量应＜3×1016atoms/cm3
碳含量 直拉硅单晶的碳含量应≤5×1016atoms/cm3
区熔硅单晶的间隙氧含量应≤3×1016atoms/cm3
晶体完整性 硅单晶的位错密度应≤100/cm3，即使无位错。应无星结构、六角网络、孔洞和裂纹。
电阻率小于0.02Ω?cm的重掺杂硅单晶允许观察到杂质条纹。
硅单晶的漩涡缺陷或微缺陷密度由供需双方商定
金属含量 硅单晶的体金属含量（Fe）由供需双方商定提供
重掺杂直拉硅单晶的基硼、基磷含量由供需双方商定提供
用途 主要共制作半导体元器件