氧化硅片

2-6英寸二氧化硅（SiO2）抛光硅片参数规格 生长方式： 直拉 CZ 氧化方式：热氧化制备 型号： N型/磷、砷、锑 P型/硼 （掺杂元素） 晶向： 111/100 电阻： 0.001-25Ω·cm（电阻范围可选、也可按照客户需要订制） 厚度： 250-600（厚度范围可选、也可按照客户需要订制） 氧化层厚度：50nm-1000nm（氧化层厚度范围可选、也可按照客户需要订制） 平整度TIR：<3μm 弯曲度Bow: <15μm 翘曲度TTV: <15μm 粗糙度nm : <0.5nm 库存现有厚度：需订制 盒装硅片 : 25片装(镀铝箔真空包装) 上述概括了此产品参数，对产品有其它厚度或者参数要求请与本公司详谈！