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商品详细描述
特点 ?时钟频率:166,143,133 MHz的 ?完全同步,所有引用到的信号时钟上升沿 ?对隐藏行访问/预充电的内部银行 ?单电源:3.3V +0.3V ?LVTTL接口 ?可编程的突发长度 ?可编程突发序列:顺序/交织 ?自动刷新(CBR) ?自刷新 ?4096刷新周期每16ms(A2级)或64毫秒(商业,工业,A1级) ?随机列地址每时钟周期 ?可编程CAS延时(2?3个时钟) ?突发读/写和突发读/单写作战能力 ?突发爆裂停止和预充电终止命令OPTIONS ?封装:86脚TSOP-II,90球TF-BGA ?工作温度范围: 商用(0℃至+70℃) 工业(-40oC至+85 oC) 汽车级,A1(-40oC至+85 oC) 汽车级,A2(在-40oC到+105 oC) 器件概述 128Mb的SDRAM是一种高速CMOS,动态设计为工作在3.3V Vdd的随机存取存储器和3.3V Vddq的内存系统包含134,217,728位。在内部配置为四银行的DRAM与同步接口。每33,554,432位银行组织4096行,256列32位。128Mb的SDRAM自动刷新模式,和节电省电模式下。所有信号都时钟信号CLK的正边缘上注册。所有的输入和输出的LVTTL的兼容。 128Mb的SDRAM有能力同步爆在高数据传输率的数据与自动列地址代的能力,内部银行之间的交互,隐藏预充电时间和能力,以随机在每个时钟周期改变列地址突发访问。 |
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