厂商 ：深圳市科盛元电子科技有限公司
广东 深圳- 主营产品：
- TI
- ST
- SILICON
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商品详细描述
特点
?时钟频率：200，166，143，133 MHz的
?完全同步，所有引用到的信号时钟上升沿
?对隐藏行访问/预充电的内部银行
?电源供应器Vdd的Vddq的
IS42S81600E3.3V 3.3V
IS42S16800E3.3V 3.3V
?LVTTL接口
?可编程的突发长度
?可编程突发序列：顺序/交织
?自动刷新（CBR）
?自刷新
?4096刷新周期每64 ms
?随机列地址每时钟周期
?可编程CAS延时（2?3个时钟）
?突发读/写和突发读/单写作战能力
?突发爆裂停止和预充电终止命令
?工业温度可用性
器件概述
128Mb的SDRAM是一种高速CMOS，动态设计为工作在3.3V Vdd的随机存取存储器和3.3V Vddq的内存系统包含134,217,728位。在内部配置为四银行的DRAM与同步接口。每33,554,432位银行组织4096行512列16位或4096行1024列由8位。128Mb的SDRAM自动刷新模式，和节电，省电模式下。所有信号都时钟信号CLK的正边缘上注册。所有的输入和输出的LVTTL的兼容。128Mb的SDRAM有能力同步爆在高数据传输率的数据与自动列地址代的能力，内部银行之间的交互，隐藏预充电时间和能力，以随机在每个时钟周期改变列地址突发访问。
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?时钟频率：200，166，143，133 MHz的
?完全同步，所有引用到的信号时钟上升沿
?对隐藏行访问/预充电的内部银行
?电源供应器Vdd的Vddq的
IS42S81600E3.3V 3.3V
IS42S16800E3.3V 3.3V
?LVTTL接口
?可编程的突发长度
?可编程突发序列：顺序/交织
?自动刷新（CBR）
?自刷新
?4096刷新周期每64 ms
?随机列地址每时钟周期
?可编程CAS延时（2?3个时钟）
?突发读/写和突发读/单写作战能力
?突发爆裂停止和预充电终止命令
?工业温度可用性
器件概述
128Mb的SDRAM是一种高速CMOS，动态设计为工作在3.3V Vdd的随机存取存储器和3.3V Vddq的内存系统包含134,217,728位。在内部配置为四银行的DRAM与同步接口。每33,554,432位银行组织4096行512列16位或4096行1024列由8位。128Mb的SDRAM自动刷新模式，和节电，省电模式下。所有信号都时钟信号CLK的正边缘上注册。所有的输入和输出的LVTTL的兼容。128Mb的SDRAM有能力同步爆在高数据传输率的数据与自动列地址代的能力，内部银行之间的交互，隐藏预充电时间和能力，以随机在每个时钟周期改变列地址突发访问。
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