封装-半导体封装-封装体技术资料

[CN8141-0082-0001] 发电装置及方法
[摘要] 本发明意于在没有商业用电源的地方确保用电，使发电装置便于携带。本发明提供的发电装置在高温热源部A与低温热源部B之间设置了热电转换机构1，具有将热电转换机构1产生的电向外部输出的外部输出机构8，高温热源部A具有对太阳光聚光的聚光体6。
[CN8141-0075-0002] 半导体器件及其制造方法
[摘要] 本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，其中该半导体器件包括形成在半导体衬底上方的第一绝缘层，形成在第一绝缘层上、并具有将除接触区外的区域分为两侧的缝隙的单元板线路，形成在位于缝隙两侧的单元板线路上、并具有在缝隙上方的空隙的电容器介电层，以及形成在缝隙两侧电容器介电层上在一列中的多个电容器上部电极。
[CN8141-0097-0003] 衬底处理系统和衬底处理方法
 
一种衬底处理系统，配置有通过对含氧气体放电而产生含臭氧气体的臭氧发生器，以及多个都能够在其中容纳衬底以通过供应的含臭氧气体处理衬底的处理容器。流量调节器控制供给臭氧发生器的含氧气体。控制器控制流量调节器，从而通过控制供给臭氧发生器的含氧气体的流速来控制来自臭氧发生器并供给一个或多个处理容器的含臭氧气体的流速。
[CN8141-0180-0004] 量子点形成方法
[摘要] 本发明公开了一种形成量子点的方法，该方法同时提供了可靠性和批量生产的效果。本发明形成量子点的方法包括步骤：在半导体衬底上形成第一绝缘层；藉由蚀刻第一绝缘层形成曝露半导体衬底的开口；在开口中和邻近开口的第一绝缘层上形成单晶半导体层；以及藉由去除开口中的单晶半导体层和在邻近开口的第一绝缘层上的部分单晶层，在邻近开口的第一绝缘层上形成量子点。
[CN8141-0209-0005] 具有静电放电防护的封装基板
[摘要] 本发明公开了一种具有静电放电防护的封装基板，该封装基板放置于一封装模具内，该封装模具设有多个活动式顶针，用以在封装后将该封装基板顶出该封装模具。该封装基板的第一铜网层及第二铜网层以定位孔电连接。该封装基板的底层具有多个凹槽，设置于该活动式顶针的相对位置，该等凹槽贯穿至该第二铜网层，以使该等活动式顶针与该第二铜网层电连接，静电电荷将由该第二铜网层引导至该等活动式顶针，并引导出静电电荷至该封装模具。本发明可使封装中的芯片可免于静电放电的破坏，以提高封装产品的合格率。
[CN8141-0020-0006] 降低静电放电损坏的倒装SOI芯片结构与制造方法
[摘要] 本发明涉及一种降低静电放电损坏的倒装SOI(silicon-on-insulator)芯片结构，该SOI芯片结构包括有一硅基板(silicon substrate)，一绝缘层(insulator)设于硅基板之上，一电路层(active layer)设于绝缘层之上，以及一导电层电连接硅基板的一顶边与硅基板以及电路层的两侧边，用来建立该电路层与该硅基板的电连接以提供一静电放电路径。
[CN8141-0148-0007] 通用数字电路仿真测试系统及测试方法
[摘要] 本发明公开了一种通用数字电路仿真测试系统及测试方法，该系统由用于产生测试激励数据的数据源、按总线标准将激励数据映射为时序的总线功能模块BFM及至少一个双路测试单元组成，相应测试方法是将激励数据映射的时序送入待测设计并进行与之并行的双路测试，使仿真测试的通用性增强、代码复用率和可扩展性提高。
[CN8141-0202-0008] 制作快闪存储器的方法
[摘要] 本发明有关一种制作快闪存储器的方法，特别是有关一种在具有埋藏导线的快闪存储器上制作接触窗的方法。本发明利用一次离子布植制程以形成埋藏导线于如浅沟渠隔离的隔离区之下。接下来在此埋藏导线上形成一介电层，并在此介电层内形成一顶部较宽而底部较窄的接触窗，最后在接触窗内形成一多晶硅层以连接不同层的不同元件。此埋藏导线连接邻近的主动区域并取代连接传统主动区域的接触(Contact)与导线。此接触窗的底部与此隐藏导线相互连接。
[CN8141-0198-0009] 混合模拟组件的沟渠式电容器的制造方法
[摘要] 本发明是揭露一种混合模拟组件的沟渠式电容器的制造方法，其是在一半导体基底内形成浅沟渠隔离区域用以隔绝组件主动区时，在复数个浅沟渠结构中依序形成下层电极的氮化钛层、介电层及上电极金属层，使其结合在一起而制作出沟渠式电容器结构。本发明是利用沟渠式电容器取代已知的立体结构电容器，以藉此增加电容器的表面积而不会影响后续制造工艺，进而达到增加沟渠式电容器的电容量的功效者。
[CN8141-0035-0010] 半导体衬底及其制造方法，以及半导体器件及其制造方法
[摘要] 本发明的课题是，获得能够保持双向耐压，并且可靠性高的半导体器件及其制造方法，以及半导体衬底及其制造方法-型硅衬底1具有互相相向的底面和上表面。借助于P型杂质的扩散，在N-型硅衬底1的底面内全面地形成高浓度的P型杂质扩散层3。另外，借助于P型杂质的扩散，在N-型硅衬底1的上表面内局部地形成P型隔离区2。P型隔离区2具有抵达P型杂质扩散层3的上表面的底面。另外，当从N-型硅衬底1的上表面一侧观察时，P型隔离区2包围作为N-型硅衬底1的一部分的N-区1a而形成。然后，被P型隔离区2包围的上述N-区1a被规定为N-型硅衬底1的元件形成区。
[CN8141-0050-0011] 一种制备SON型场效应晶体管的方法
[CN8141-0062-0012] 半导体存储器件的制造方法
[CN8141-0027-0013] 半导体器件
[CN8141-0132-0014] 混载DRAM的半导体器件
[CN8141-0194-0015] 检测半导体元件中位元线偏移的测试元件及测试方法
[CN8141-0163-0016] 具备过电压保护功能的集成电路承载基板及其制造方法
 
[CN8141-0099-0017] 蚀刻沉积于半导体基底上的光阻层的方法
[CN8141-0021-0018] 多芯片模块及其测试方法
[CN8141-0032-0019] 集成的金属-绝缘体-金属电容器和金属栅晶体管及方法
[CN8141-0119-0020] 制造氮化硅只读存储器的方法
[CN8141-0018-0021] 半导体器件
[CN8141-0041-0022] 发光二极管灯泡的制作方法及其结构
[CN8141-0100-0023] 形成介电质层的方法
[CN8141-0085-0024] 晶化装置、用于晶化装置的光学部件和晶化方法
[CN8141-0009-0025] 制造1T1R电阻型存储阵列的方法
[CN8141-0069-0026] 半导体元件及半导体封装
[CN8141-0174-0027] 高效发光二极管
[CN8141-0173-0028] 一种有机发光二极管阳极及其制备方法
[CN8141-0072-0029] 存储器件的结构及其制造方法
[CN8141-0110-0030] 拉线、球剪力与晶片剪力测量的重复性与再现性测试工具
[CN8141-0159-0031] 半导体器件及其制造方法
[CN8141-0059-0032] 后端制作工艺整合的方法
[CN8141-0142-0033] 金属膜半导体器件及其制造方法
[CN8141-0055-0034] 具有静电放电防护的封装模具
[CN8141-0144-0035] 树脂固化系统
[CN8141-0217-0036] 半导体存储器
 
[CN8141-0111-0037] 应用于半导体产品生产的植入式可靠度分析系统
[CN8141-0218-0038] 薄膜半导体器件及液晶显示器
[CN8141-0047-0039] 无刮伤化学机械研磨工艺
[CN8141-0022-0040] 开窗型多芯片半导体封装件
[CN8141-0102-0041] 自动检测半导体芯片位置的溅镀系统
[CN8141-0029-0042] 半导体组件的护层结构及其形成方法
[CN8141-0127-0043] 具有可控的内部电源电压的半导体集成电路
[CN8141-0057-0044] 检测低压铁电随机存取存储器的低压检测器和方法及系统
[CN8141-0105-0045] 半导体装置的制造方法
[CN8141-0129-0046] 低电压双向福乐诺汉写入/擦除闪速存储器
[CN8141-0114-0047] 集成电路器件和微机电组件的整体制造方法
[CN8141-0160-0048] 具有应变平衡结构的CMOS元件及其制造方法
[CN8141-0008-0049] 混合模拟组件的电容器制造方法
[CN8141-0076-0050] 降低第二位效应的氮化硅只读存储单元及其制造方法
[CN8141-0109-0051] 可避免量测计燃烧的量测计固定装置
[CN8141-0117-0052] 具有高高宽比的浅沟渠隔离结构的填充方法
[CN8141-0155-0053] 一种形成栅极和电容的间隙壁的制作方法
[CN8141-0033-0054] 三维存储器之只读存储元
[CN8141-0007-0055] 具有双栅极氧化层的混合模拟组件电容器的制造方法
[CN8141-0139-0056] 碳氟膜的制造方法
 
[CN8141-0147-0057] 测试加烧机系统
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[CN8141-0089-0059] 支撑装置与其制造方法、载置台装置以及曝光装置
[CN8141-0172-0060] 整合式晶片型二极管
[CN8141-0203-0061] 罩幕式只读存储器的制造方法
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[CN8141-0051-0064] 凹槽平面双栅结构MOS器件及制造方法
[CN8141-0054-0065] 具有静电防护的封装模具
[CN8141-0034-0066] 形成在硅在绝缘体上的衬底上的静态随机存取存储器
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[CN8141-0039-0075] 一种制作白光发光二极管光源的方法
[CN8141-0053-0076] 便于对一晶片的顶面与底面进行电性缺陷测试的封装方法
 
[CN8141-0013-0077] 传热装置和制造这种装置的方法
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